metal cap mom结构

各位路过的大牛们，向大家请教一个问题：由于foundry没有提供mom电容，现在自己要手动新建metal cap，我想问问大家这种结构有多少种，结构是怎样的，希望大家给予指点，感激不尽，谢谢！
我自己做了一个metal cap，学着编写了一下cmd file，run lvs总是提示无法识别layout，自己定义的dummy layout用来识别却总是没反应，请问大家有什么办法解决这个事情吗?谢谢！

由于foundry没有提供mom电容
看看有沒有 MIM 電容
結構方面 有多少M就放多少M
做成交指狀 連側面電容都用上

foundry也没有提供MIM电容，我很想知道自己手工的mom结构除了插指，还有平板电容么?同层金属间的，不同层金属间的考虑么?比如M1和M1 M1和M2 谢谢

插值没model、平板缺一层。估计没戏。

M1 M2 重疊部分
M1 M1 間只有側面
所以會做交指式
讓上下左右都有電容

谢谢您的答复，我也只想到了这两种方法！现在就要自己学习写cmd file识别这些了

向您请教一个问题,cmd file中我已经定义了自己的上下极板的layer，就是run lvs的时候，总是提示没有layout，device不能被识别，我在tf中定义了识别层，也在lvs.cmd中定义了map layer，您知道怎么才能让device被识别吗?我翻阅svrf看了半天没看到关键词，请帮忙指点一二，谢谢！

你可以參考 mos 怎麼寫
device 是 關鍵字 ,在 卡利伯 預設中並無分大小寫
某層 = 識別層1 + 識別層2
device metalcap某層 上板層 上板層 w L ...
資料那邊有一個 敎寫 command file 的,可以參考

device metalcap某層 上板層 上板層 w L ...
寫錯ㄌ應該是
device metalcap某層 上板層 下板層 w L ...

感谢您的回答，我也是这么做的，可是run lvs就是提示cells not be identified，Nothing in layout！
我是这么设置的首先我在TF中定义了5层layer DUM，DUM1~DUM4。在LVS中添加对应的layer MAP，我想做m1和m1间的插值电容MCAPX1，上极板MTP1使用DUM1和M1识别，下级板MTN1使用DUM和M1识别，电容识别layer MTL：DUM1 AND DUM; m1m2叠加在一起与m1m2叠加在一起间的电容MCAPX102，上级MTP102：DUM1，DUM2和M1，M2 ，下级MTN102：M1 M2 DUM，简单编写如下：
1) MTP1=metal1 AND DUM1 ,MTN1=metal1 AND DUM,MTL1=DUM1 AND DUM
2）MTP102=（metal2 AND MTP1）DUM2 ,MTN1=metal2 AND MTN1,MTL102=MTL1 AND DUM2
DEVICE C（MCAP1）MTL1 MTP1（POS）MTN1（NEG）【1.0 0】
TRACE PROPERTY C（MCAP1） C C 0
DEVICE C（MCAP102）MTL102 MTP102（POS）MTN102（NEG）【2.0 0】
TRACE PROPERTY C（MCAP102） C C 0
【】其中的值时自己随便定的，暂时不考虑这个
谢谢指点！

MTP102=（metal2 AND MTP1）DUM2 這可能有問題
MTN1=metal1 AND DUM
MTN1=metal2 AND MTN1
這可能有問題
DEVICE C（MCAP1） MTL1MTP1（POS）MTN1（NEG） netlist element "X"
主體是 MTL1

感谢您的答复，我调整了一下编写，关于M1和M1间的插指Metal CAP 有两种写法：
1） MTP1=（metal1 AND DUM1）NOT DUM ,MTN1=(metal1 AND DUM) NOT DUM1 ,MTL1=DUM1 AND DUM
2） MTP1= （metal1 INTERACT DUM1）NOT DUM ,MTN1=(metal1 INTERACT DUM) NOT DUM1 ,MTL1=DUM1 AND DUM
上面两种写法 run lvs 均可识别，把上面的识别层MTL1写成这样也可以过ML1=（DUM1 AND DUM）INTERACT （MTP1 OR MTN1）。
但我想了想按照上面两种写法 也没有区分出哪是上下级，MTL1也就DUM和DUM1做运算了感觉不出有多大差别，烦请您帮我指点一下差异，谢谢！

恭喜成功了
不管黑貓白貓,會抓老鼠就是好貓
能運用即可,先有再優化
同是M1層也就沒什麼,上級版,下級板
我會這樣構思
在 MCAP 中做出 mc1_plus 和 mc1_minus 當做pin點
讓m1mc1_plus 和 mc1_minus 相互 能connect
如同 poly connect polygate

感谢你的答复， 现在我就用自己能实现的方法继续进行。我想用DUM2和DUM两层辅助来区分MCAPX2和MCAPX102，但就是不成功！您有么有办法比如说：DUM2i=DUM1 AND DUM2当做一个新的层次配合DUM来识别MCAPX102，我这样做也不行。不知道怎么能让DUM2i和DUM2一样使用 谢谢答复！

有2個想法給你參考
1. m1 m2 交叉式
這樣是一個電容或是多個電容並串聯
2.dummy layer的獨特性
dummy2ii = dummy2i not dummy2
會不會又有重疊dummy1的疑慮
最近在玩撲克牌 如同 烏龍的機率
=全部 not 同花順 再 not 4 條 再not full house ......

感谢您的答复，我现在已经写出了部分。看designer的要求，要是没问题 我这版就写好了十分感谢您的指点 谢谢！

真是恭喜了繼續加油

DEVICE [DEVICENAME] [DEVICEAREA] [TERMINAL1,TERMINAL2...]
[PROPERTY X1,X2
X1=..
X2=..]
TRACE PROPERTY [X1,X2...],[X1,X2...] ratio
完成器件区域识别和端口识别就可以，器件的端口不能重复定义和使用。电容的话一般用AREA做特征值，MOM一般都是建立在MIM上的叉状结构来提高容值和线性度。我做的rule里面几乎没有提供MOM电容的典型值。

nicer

thx

thank you

这里是用总面积来计算电容值的吗?公式中的0.9是什么呢?

是用面積算的 通常也考慮 串並聯效應
0.9 我猜是經驗累積 , 得到的參數

1.先确认你的LVS rule中是否定义了MOM device，如果定义了，则按照rule画
2. 如果LVS rule中没有定义，则最好问下foundry，不然自己画有风险的

very good，多謝。
自己做MOM電容，跑LVS時在Schematic裡面不放symbol就不會出現LVS問題了吧，因為此時MOM電容與metal連線無異。