关于反比例MOS结构的一些问题

假如一个MOS管的长度L很长，而宽度W很小，这个时候的版图应该怎么处理呢?有人给我的介绍了反比例MOS结构，就是在版图中有源区在上层，而多晶在有源区的下面，跟普通的位置关系刚好翻过来，这样的话就实现了反比例MOS，即原本是宽度的现在表示的是长度，而原本是长度的现在表示的是管子的宽度，然后就可以利用传统的多finger或者蛇形去实现很长的长度了。
但是我不太明白，怎样能将有源区放置在多晶的上层，这在工艺中如何实现?还是因为我对反比例MOS管结构的理解有误，请各位高人指点。感激不尽。

有源区不能放在多晶层之上吧?

第一段不知道LZ在说什么。
第二段，对于CMOS工艺，有源区肯定在poly下面，
对于非HV的MOSFET，channel length都等于source端到drain端的长度，无论是不是倒比管。

其实就是倒比管。

小编说的不对，有源区只能在多晶的下面。你说的是narrow device

narrow device是narrow width effect比较大的器件吧，LZ说的是L/W很大的MOS。

小编说的应该是对尺寸要求不高的大尺寸倒比管的画法吧，所谓的多晶在有源的下面，是画版图过程中的思维顺序，而不是指实际的工艺过程中层之间的关系。其实这种结构还是正常的MOS管结构，只是看起来不大一样而已。参照完成的管子，找到SDG三端的接触孔，确定管子的沟道就会发现其实还是正常的结构。

谢谢nice的gedy，发现我那天的理解确实有问题，关于有源区和多晶栅的位置关系我弄明白了。但是还有一个问题，如果是蛇形的倒比管，多晶在上面覆盖整个管子，下面的沟道是怎样通过工艺实现的?还需要再对沟道进行注入吗，如果不再注入，那么沟道的蛇形的轮廓是通过什么确定的呢?在下小弱，再次向大侠就教了

poly 覆盖蛇形 diff
当poly上加电压时候再蛇型diff上形成反型层也就是沟道，其非DIFF区由于是FOX
区所以不能形成反型，这样电流就会验证蛇形走了。
还有poly盖住的蛇形部分是不会被注入到与源漏相同的注入的，因为是自对准的注入被poly挡住了。其实是和正常mos一样的。

非常感谢caosl大侠，我明白了

没有pcell就自己画，有pcell就改改flat再补补贴贴，层次肯定错不了

倒比管是怎么画的，大神指点一下嘛