HR poly结构设计

很多FAB厂针对高阻多晶都有要求上面需要添加dummy metal做为掩蔽层，示意图如下。经过实际流片测试发现，带Metal的HRpoly的方块电阻会约等于2倍的不带Metal保护的HRpoly。Metal淀积后的后段流程哪里能影响到多晶电阻的阻值呢?待高人解惑。

标准HR poly示意版图

dummy metal?

能有那么大误差吗?怀疑

严重怀疑你数据的真实性，一般放metal也不是造成这么大的偏差吧，有些制程是需要放metal1，电阻更准确一点，原因可以看书，也可以网上查。

感觉是把口值1k的高阻做成了口值2k的高阻了，是不是在给工艺厂的数据信息表中把1k填 写成2k了?

不可能把！ 加 metal 主要三准确点吧！

在金属化系统的过程中会引入氢，氢渗入氧化层中科形成可动离子，当其扩散至si区时，可与si区中的悬挂件结合，也可与硼形成若的分子化合物。 应为是高阻电阻，其多晶硅的参杂浓度低，受这种氢化作用的效果会更明显，如果是重掺杂低值电阻，影响就会小很多建议小编看看 你们用的电阻是不是P型轻参杂的电阻，如果是的，我觉得氢化作用在这里可能起到了主要作用。

在金属化系统的过程中会引入氢，氢渗入氧化层中科形成可动离子，当其扩散至si区时，可与si区中的悬挂件结合，也可与硼形成若的分子化合物。 应为是高阻电阻，其多晶硅的参杂浓度低，受这种氢化作用的效果会更明显，如果是重掺杂低值电阻，影响就会小很多建议小编看看 你们用的电阻是不是P型轻参杂的电阻，如果是的，我觉得氢化作用在这里可能起到了主要作用。

这个问题好奇怪，一般的POLY电阻周围加dummy也是 加poly怎么会要加METAL?

加Dummy poly是为了改善poly形貌，加Dummy metal是为了改善poly电性阻值

dummy poly 是怕etch 吃到所以早期是圍一圈同寬, 後來改成小條兩邊 ,
resistor 上蓋 metal 除 metal density , 還有就是做 shielding 使用
另外是不希望有 signal path 跨過poly , 很多 resistor 如果上有電壓會有影響阻值 ,
另個是 HR poly resistor breakdown 多少 ?以前發生過串到 40v 有出事 ,
不過 一般蓋 metal 來說阻值不會差到如此多 , 除非 process 有問題 ,但因不制如此
那家工藝?
還有你真的是下針量兩端阻抗嗎?
如不是如何判定說電阻變大?