哪位大神知道什么是深n阱，最好能介绍下作用，谢谢了

自己顶一下

DNW是在NWELL下面还有一层N-注入，主要作用是做隔离，在隔离DNW里面MOS，一般射频和对噪声比较敏感的芯片会采用深井工艺，

看看 工艺文档 里面会有详尽的介绍的

我是这么理解的：比如你NW提供一个阱电位，DNW提供一个单独的不同的阱电位，两种阱可以分别做不同要求的MOS管，所以就是隔离的作用

看工艺吧，TSMC 的 DNW 位于NW 下面，必须通过NW才能连接电位

深N阱（DNW）可以理解为在P-sub上面隔离出来的一块独立区域，里边可以做需要的device，有与外界隔离的作用。于一般的PMOS而言，可以通过放在不同的NWELL里面来相互隔离；而对NMOS而言，它们的well（P-sub）会通过wafer的p-sub short在一起（因为都是P型），相互串扰，互相影响。DNW里边的P-sub与外界的P-sub是隔离的，因此能削弱相互之间的影响。因为这个阱比一般的N well要深很多，所以称为deep N well。除了电位上的隔离，比如说有好几种地电位（0V、-3.3V、-6V等），一般会把害怕被别的模块影响（reference电路、temperature sensor等）或者怕会去影响别的模块的IP（PLL、OSC等）放在DNW里面。

好的谢谢各位大神

顺便问一下，除了TSMC工艺，其他工艺的DNW也要nwell才能接电位么?