有人知道TG层HR层是用什么做的么？

去design rule里找，这些简称mask information都会有解释的。
ps: 话说用的umc工艺吗? 我记得umc给mid-voltage device定义的OD2就叫TG

我知道这些层是干啥的，但是我想知道它的材料是什么?为什么会有这个作用?
比如为什么加了TG就是中压了?为什么加了HR就可以变成高阻。
rule里面只找到说了有这个层啊~

TG区域的gate-oxide保证比低压区域的厚，也有的工艺叫OD2，以保证gate-oxide可以承认更高的VGS电压。
HR我见的基本都是optional layer，作为DRC/LVS识别器件用。具体是否参与mask运算，参考mask tooling内的定义。