关于DG层或者TGO层

DG层或者TGO层（不同工艺叫法不一样））用在厚栅管子是不是只有与gate层重合的地方才有意义?
我在厚栅管子旁边打sub到M1的guard ring。design rule要求DG到AA的距离大于0.6um，为了省面积，是否可以把DG覆盖guard ring，从而可以使guard ring更靠近管子?
如果一个设计用的都是厚栅管子，是否可以把整个芯片版图都覆盖上DG层?

可以将整个管子覆盖DG

整芯片都打上?如果有低压管，肯定LVS过不了，dg tg 一般工艺里面都是指的厚氧化层，用做高压管（比如2.5v 3.3v之类的管子）。如果都是同一类管子，是可以覆盖一大片盖住的。
DG层或者TGO层（不同工艺叫法不一样））用在厚栅管子是不是只有与gate层重合的地方才有意义?有的BJT也区分了高压BJT，所以不只是与GATE重合的地方才有意义。

谢谢回复。我想问衬底上或者nwell中的guard ring，用DG层覆盖与否是否有区别?