bandgap模块
时间：10-02
整理：3721RD
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bandgap模块中的三极管一般是用PNP、还是NPN，依据是什么，较多的模块都是采用PNP，有什么优点?
顶一下
PNP在以P-SUB为衬底的硅片上容易做
PNP在以P-SUB为衬底的硅片上容易做
PNP在以P-SUB为衬底的硅片上容易做
PNP在以P-SUB为衬底的硅片上容易做
先要了解PNP和NPN的工艺结构，一般的CMOS工艺做成PNP管相对来说容易实现，而NPN则需要额外的WELL，必然增加了成本。
我可以理解为PNP的三极管，比如说由内到外的分别是E（P+）、B（N+）、C（P+），E和B是做在N阱内的，最外层的C（P+）是相当于psub，可以和接地的psub共用吗?但是如果C不接地电位，还是需要做一道隔离吧?NPN的三极管，最外侧是N+，也会加一道NW的层次，外面直接就是psub了，您说多做阱和少做阱的情况具体在哪里体现，能不能说详细些，我理解的不一定正确，希望有大神指正。