LDNMOS版图结构改进

大家好：
在使用BCD工艺中，LDMOS作为功率输出占用很大版图面积。有没有办法将LDMOS版图pcell结构修改，减小版图面积同时对ESD影响比较小（作为功率输出没有使用单独ESD保护结构）。
比如：MOS管作为功率输出时，我们可以使用曲栅、华夫饼等结构。那么LDMOS可以使用别的版图结构吗?毕竟LDMOS结构比较特殊，与一般mos不一样。
有没有高手做过这方面改进，给点建议！
非常感谢！

没人修改过吗！

你既然说是LDMOS，那你就要小心了。你需要和foundary沟通了。 耐压结构 导通电阻不是你想改就能改的