天线效应
电荷就通过diode泄放掉了
以前有看过这方面的贴子，你可以站内搜搜
Antena发生在Fabarication的过程：过长的金属会像天线一样收集电荷<=电荷来源于Fabrication中广泛使用的Plasma。只要保证在使用Plasma时，连在Gate上的第一层Metal长度不超过一定范围，它所收集的电荷不会产生足以击穿Gate的电压，那么Gate就是安全的
我的疑问是：后面淀积金属会与poly连接，金属中的电荷会经过poly跑到栅上去，电荷量大了一样会击穿栅氧层。
在生产过程中，由mask产生layer的顺序是poly->cont->metal1->via1->metal2...，在产生metal1时如果与gate连接的metal1面积过大（俗称太长啦），吸收的电荷也就会增加，当metal足够长以至于吸附的电荷足够大到会击穿poly层，这就是天线效应（自己理解的大白话）
对于你的疑问:虽然经过跳线，但是跳线后还是连在一起，吸收足够电荷还是会击穿。生产完metal1会有一步放电的过程，放电后才会产生metal2，这是如果metal2同样太长，还是会有天线效应的，那就再向上层跳线，再经过放电过程......，处理效果比较好的是在靠近gate端跳线。
不知说的算不算详细，最后再给你个手绘图以便理解
就是像6楼说的那样，在每层离子刻蚀之后会有放电的步骤，这个步骤怎么操作的，我就不知到了，在CMP或者照UV过程中放电，我还没搞清楚。
还没有消除电荷之前就击穿了呢?
metal 1 要到一定长度积累的电荷才会产生击穿，如果在不到击穿电荷产生的长度就用去离子水去洗，然后进行metal2 连接是不会击穿栅氧的！懂?就好比接力赛四百米，你一次性不停歇地跑四百米肯定会累死，但是让你跑一百米以后让你休息一下接着换人跑你会累死?
这个问题问出了我的心声，支持一个！向上跳线我是懂了。不过洗掉电荷是怎么一个操作求大神给个形象的解释。拜谢
另外，按照楼上的解释，向下跳线岂不是一点作用都没有咯?并且还额外的引入了via的寄生电阻。是吗?
有一种工艺里面检查天线效应的机制是Metal（M1 ，M2，M3...）与所连到的mos的gate的面积之比不能大于一个值，如果大于这个值，工具就会报错。