很大的POLY-NW电容会不会因为天线效应击穿自身的薄氧化层？

很大的POLY-NW电容会不会因为天线效应击穿自身的薄氧化层?例如一个200um*200um的POLY-NW电容，或者更大的。今天听公司的同事说POLY-NW电容会击穿自身的薄氧化层，我想不明白，所以来请教 下大家。

应该不会，因为天线效应指的是，大面积的金属或者多晶硅与其下的有源栅面积之比。你这里的情况是，电容的栅很大，但是栅下面的有源面积一样很大，他们的比值很小，不会出现天线效应！

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