在版图设计中为避免天线效应采用向上跳线法，本层积累的电荷不就会把栅氧击穿了吗？

在版图设计中，向上跳线法用的较多，此法的原理是：考虑当前金属层对栅极的天线效应时，上一层金属还不存在，通过跳线，减小存在天线效应的导体面积来消除天线效应。在版图设计中为避免天线效应采用向上跳线法，向上跳线时上层的金属还不存在，那本层积累的电荷不就会把栅氧击穿了吗，那向上跳线还有什么用呢?求求哪位大神指导啊，小弟确实是没想明白啊。

可以看看这个贴子：http://bbs.eetop.cn/viewthread.p ... p;page=1#pid8449966

你先要搞清楚什么时候才会产生天线效应，是本层金属大于一定长度才会累计电荷到击穿的效果，如果你跳完线本层金属还是很长，天线效应还是会报错的，本层金属长度要小于某个值，这种积累不足以击穿栅氧就可以了。所以只要你选择合适的位置跳线就可以了。

做一层，会用去离子水洗的。所以在做上一层的时候，本层的积累已经没了。

同意樓上的說法

本层有天线效应的金属蚀刻的时候电荷积累很多了，还没有去离子水洗之前就发生击穿了呢?

同意3楼

所以才会控制每层metal与gate的的面积比呀...