求教 天线效应中的疑惑！

今天看天线效应是，看到这么一句话：“如果metal接到diffusion时，极少会产生静电破坏，因为diffusion可以卸掉静电，所以top metal一般不用考虑天线效应的问题（基本上每条top metal都会接到diffusion上）”



请问：为什么说：基本上每条top metal都会接到diffusion上。 完全想不明白，顶层金属为什么就要连接到扩散区啊?说底层还可以接受。

制造时候一层层做的，在底层金属制造时候可能断开，没有联接到OD。制造顶层时候一定会通过via连接到OD，这是一个顺序过程。

哦，明白了，恍然大悟啊，谢谢！

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光然大悟，不过天线效应是只考虑栅极不考虑漏极的

这里我有个疑问，只能说一般情况下，top metal是不会有天线效应的，但是不能绝对的说，top metal层全部是连接到active层的。比如，有时候，你只有2层metal ,top metal连接的时候很多地方是不会连接到active的，有时候是gate与gate之间要连接的！

学习了。

我还是没搞懂，请问能详细解释下吗?OD层是什么?

有源区接衬底，电流可以由此传到到衬底；gate与衬底绝缘，电流无处可去。

我的理解，最终还是会接到active的，除非是gate悬空。而且天线是每层时聚集，比如刻蚀metal1时，满足规则，不会antenna,那到metal2（你举的例子是top metal）时，只要gate不悬空，肯定是能接到active的。我目前做的工艺确实比较奇怪，top metal只要直接接gate或mim时，都必须接diode，否则antenna就有错。top metal在rule中面积比是0.

我说的情况就是top metal直接接到gate,也就是两个gate之间直接用top metal连接，所以还是存在这个情况的！这种情况下，top metal
是不会接到active，如果top metal比较长比较大，就会存在天线危险，当然这种情况毕竟不是很多。一般情况top metal 是最终接到active的。只是版图的时候，要留意下！有的时候，工艺中会特别说明，不管怎么样还是按照工艺情况，或者直接与fab厂沟通！

gate悬空吗，最终不接输入?若不是悬空，应该都会接到active，一般gate不建议悬空的。