求解：ASMC 15VNMOS做NDD区域的作用

1,关于NDD
NDD是N type drift drain, 是N型漂移区， 这一层在这个工艺中做在HV device上面，它是用来增大NMOS drain端的耐压，所以浓度比N+要低，结深比N+深， breakdown电压比N+高
2,不知道你所指的Pmos是HV还是LV，但是HV pmos应该会做一些特殊处理的
3,个人感觉channel stopper implant有改变Vt和增强防punchthrough的作用，所以低压mos没有做，也不是很奇怪，因为自然形成的mos能够满足spec要求，加了channel stopper有可能让低压mos的参数变差
拙见而已，欢迎指正。

二楼讲得很有道理
佩服

2楼好强
顺便补充一点：相同掺杂PMOS要比NMOS耐压。另外由于PMOS掺杂只能用硼，所以PMOS没有LDD这个步骤。

LDD，轻掺杂漏极，降低了电导率，减小沟道漏电~

upload PDK if you have and other PDK of 1um 0.8um .... I looking