GaAs PA（功率放大器）的世界一线厂商的细节
2-4.PA的Power cell。三级都用了基本的RC稳定结构，对于S公司自己的HBT单元，内部即存在基极串联稳定电阻及发射级稳定电阻，可以参考S公司的马蹄型HBT单元专利。但我感觉这两个电阻可以在实际电路中去掉，因为对增益和功率损耗很严重。还有一点，三级的串联电容按从第一级到末级的顺序，依次减小；而并联的镇流电阻却依次变大。而HBT单元根据发射极面积对应WIN的库中，应该是202。
5.这是正偏与反偏的二极管。二极管在功放设计中主要用于钳位保护与ESD，可以看出图中的二极管正偏远多于反偏，说明这个PAD上加有正电压。通过正偏的二极管数量判断加在PAD上的电压大致在3V左右。另外除了图中这种，还有一种正偏与反偏的二极管数量一致，说明此PAD没有直流加载，比如整个功放的输入端。另外，二极管在光刻过程中要多N个步骤，价钱确实也会高很多，比如某公司的SD层，就会加4000美金，所以能用Diode连接的HBT就用吧。
6.这是R公司的HBT单元，发射极与基极在HBT管的两端，这样非常好Layout。图中的这款芯片是R公司在2002发布的一款GSM功放芯片，在芯片内部完全用的很简单的偏置（双Diode叠加偏置）与单管功率控制单元。可以关注的有三点：其一，第二级并没有接地过孔接地，而是用一个PAD Bonding的方式接地，可以推断出如果不加的话，不稳定；其二，第二级的HBT在接地PAD两端数量不一致：一侧三个，一侧二个；其三，整个芯片的三级之间除了隔直电容都没有使用任何的匹配网络。这和HBT及稳定网络的layout有关。另外，在每级都用了电阻并联负反馈结构，这也可以有助于将阻抗向50欧姆处移动。
照片怎么搞到的？
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图1，第一个电感不在信用链路上那是干嘛用的？for bias？
图2-4，稳定性后级更多依靠ballasting resistor而不是RC反馈，还是因为防止thermal runaway吧，而不是简单的S-parameter stability
最后一张图我没太看懂你的描述，
“可以推断出如果不加的话，不稳定”是说不加什么？emitter ballasting resistor？
“第二级的HBT在接地PAD两端数量不一致：一侧三个，一侧二个”，是说emitter连了5个pad，分布在die的两侧？应该不是差分的意思吧
R公司是RDA咯？据说R司的PA是流很多版最后靠测试来确定最佳匹配的，个人感觉这些细节对PA designer的借鉴用处实在有限。
谢谢回复，一起讨论
图1中的电感用在的Bias部分，初步看是RF choke
图2-4，文中提到的RC稳定结构不是连接集电极和基极的RC并联稳定结构，而是指的是ballasting resistor，可能是我表述不清。而C是为了给射频信号一个低阻通路，这又涉及到了一个问题，到底用多大的ballasting resistor和电容才能保证增益与不发生thermal runaway。目前这都是经验值，我对于WIN的HBT知道多大，但S公司的，确实没概念，这都是需要大量的流片试验的，就像PA能抗多大的VSWR一样。
“如果不加“指的是不加发射极接地电感。文中说的有点武断，之所以这个电感接地而不直接用Backvia接地，我感觉可能性还有匹配的作用，因为芯片中并没有看到级间匹配元件，甚至隔直电容都用的是每个Power Cell单元的电容，而没有在整体的每一级前面串一个大电容。
“第二级的HBT在接地PAD两端数量不一致：一侧三个，一侧二个”。一般在PA的每一级layout的时候为了防止发生电流不均匀，就采用完全对称的结构，即backvia的两端摆放相同的数目的HBT管，可R公司的第二级确不是。一边两个，一边三个，很诡异。
RDA公司是很厉害的公司，但文中的R公司确实不是RDA。功放的设计基本上是靠调试，后仿完全可以忽略掉，每一个阻抗都是测试出来的，再根据实际可以拿到的元件值进行优化。其实文中提到的这些结构并不是一个PA designer最应该考虑的方向，这些都已经模块化，而现在最需要的是在控制部分下功夫，就像现在的MMMB一样。后续我还会分析一些这些PA厂商的Bias电路和独有的控制电路。
ballasti