CMOS和SOI的RF功率放大器高级培训班-9月8日-合肥
时间：12-12
整理：3721RD
点击：
工业和信息化部人才交流中心和比利时微电子研究中心IMEC定于2015年9月8-10日
在合肥中国科学技术大学共同举办“CMOS和SOI的RF功率放大器高级培训班”，邀请世
界RF功率放大器领域著名专家、IEEE SSCS主席，全球半导体联盟混合信号和射频工作
组主席、比利时鲁汶大学教授Patrick Reynaert授课。
课程介绍
This course is all about RF power amplifiers, implemented in CMOS and SOI
technologies. Designing a power amplifier in CMOS or SOI is an important
topic both in research and development at various universities and
companies. This course starts from system-level specifications for
applications such as WiFi, cellular and 60GHz. Next, the PA basics are
discussed, including technology considerations, matching, supply voltage and
transistor operating mode are discussed. This is followed by an in-depth
discussion of the different PA and TX architectures (Envelope tracking,
polar, Doherty, outphasing, full digital transmitters,…) with a review of
their benefits and drawbacks. Finally, many implementation examples are
covered and their measurements techniques are discussed in more detail. The
examples cover technologies from 180nm down to 28nm, and a frequency range
from 800MHz up to 85GHz.
本课程是关于通过CMOS和SOI技术实现的射频功率放大器。对于各大学和公司的研究和
发展而言，通过CMOS或SOI设计功率放大器是一个重要的课题。本课程首先讲述一些应
用的系统级规范，如WiFi、蜂窝和 60GHz。接下来，课程会讨论PA基础，包括技术考
虑，匹配，供电电压和晶体管运作模式。然后深入讨论不同PA和TX架构 (包络跟踪、极
性，Doherty、移相和全数字发射机...)，并概述它们的优点和缺点。最后将涵盖许多
实现示例，并更详细地介绍了它们的测量技术。例子包括从 180nm到28nm的技术和从
800 MHz到85GHz的频率范围。
Contents目录
1) System-level aspects of power amplifiers: different wireless
communication standards and their challenges for power amplification.
功率放大器系统级方面：不同无线通信标准和功率放大的挑战。
2) CMOS and SOI RF PA challenges: technology limitations, transistor
behavior and implementation of passives, thermal issues and packaging.
CMOS和SOI RF PA 挑战：技术限制、无源器件的晶体管行为和实现，散热问题和封装。
3) RF PA modes of operation: linear, saturated and switching.
RF PA 操作模式：线性、饱和以及转换。
4) RF PA topologies in CMOS and SOI: matching and power combining.
CMOS和SOI的 RF PA 拓扑：匹配和功率合成。
5) RF PA architectures: Envelope tracking, polar modulation,
outphasing, Doherty, Digital Transmitters.
RF PA 架构：包络追踪、极性调制、移相、Doherty、数字发射机。
6) Implementation examples and measurement challenges.
实现示例和测量挑战。
授课专家简介
Patrick Reynaert 帕特克·雷纳尔特
比利时鲁汶大学教授
IEEE高级会员
IEEE SSCS Benelux Chapter主席
全球半导体联盟混合信号和射频工作组主席
帕特克·雷纳尔特于2001年和2006年在鲁汶大学获得了电气工程硕士和博士学位，期间
他在比利时鲁汶ACE-Group担任讲师，教授电子电路设计的本科课程。在 2006年-2007
年期间，他是加利福尼亚大学伯克利分校的电气工程与计算机科学系的博士后研究员。
在伯克利无线研究中心，他加入Ali Niknejad团队研究毫米波 CMOS 集成电路。在这项
研究中，他收到比利时美国教育基金会的 Francqui 基金会奖学金。2007年暑期，他在
奥地利菲拉赫英飞凌担任客座研究员，致力于基站功率放大器线性化的研究。自2007年
10月，他在鲁汶大学电气工程系担任教授，还是 ESAT-MICAS研究组的教师成员。他的
主要研究包括毫米波和亚太赫兹 CMOS 电路设计和射频功率放大器。
帕特克·雷纳尔特是ESSCIRC和IEDM的技术程序委员会会员，IEEE高级会员，IEEE SSCS
Benelux Chapter主席，全球半导体联盟混合信号和射频工作组主席和和弗拉芒科学和
创新议会创新政策的委员会的成员(VRWI)。在 2011年-2012年，他担任 IEEE SSCS杂志
的编辑。他目前为 IEEE TCAS-1 杂志的副主编。2011年，他收到了TSMC-Europractice
创新奖。他还是2011年ESSCIRC最佳论文奖的获奖者。
一、 主办单位
工业和信息化部人才交流中心
比利时微电子研究中心IMEC
二、 协办单位
中国科学技术大学（微电子学院）
合肥市集成电路产业技术创新战略联盟
三、 参加对象
本次课程面向相关企业、科研院所和高等学校从事模拟设计和RF功率放大器设计的工程
师和科研人员。课程采用全英文授课，不配备翻译，要求学员具备英语听课学习水平。
四、 培训安排
培训时间：2015年9月8-10日（3天）
9月7日报到
培训地点：中国科学技术大学
安徽省合肥市蜀山区金寨路96号
培训班结束后，将颁发工业和信息化部人才交流中心和比利时微电子研究中心IMEC共同
证书，参加培训者可推荐参加国家“软件和集成电路人才培养计划”的评选。
五、 培训费用
本期课程培训费3900元/人
六、 报名方式
报名截止日期为2015年9月3日,请将报名回执表发送Email至icplatform@miitec.cn
通知文件及报名回执表下载：
http://pan.baidu.com/s/1c0lSSgS
更多信息请关注“国家IC人才培养平台公众号”
在合肥中国科学技术大学共同举办“CMOS和SOI的RF功率放大器高级培训班”，邀请世
界RF功率放大器领域著名专家、IEEE SSCS主席，全球半导体联盟混合信号和射频工作
组主席、比利时鲁汶大学教授Patrick Reynaert授课。
课程介绍
This course is all about RF power amplifiers, implemented in CMOS and SOI
technologies. Designing a power amplifier in CMOS or SOI is an important
topic both in research and development at various universities and
companies. This course starts from system-level specifications for
applications such as WiFi, cellular and 60GHz. Next, the PA basics are
discussed, including technology considerations, matching, supply voltage and
transistor operating mode are discussed. This is followed by an in-depth
discussion of the different PA and TX architectures (Envelope tracking,
polar, Doherty, outphasing, full digital transmitters,…) with a review of
their benefits and drawbacks. Finally, many implementation examples are
covered and their measurements techniques are discussed in more detail. The
examples cover technologies from 180nm down to 28nm, and a frequency range
from 800MHz up to 85GHz.
本课程是关于通过CMOS和SOI技术实现的射频功率放大器。对于各大学和公司的研究和
发展而言，通过CMOS或SOI设计功率放大器是一个重要的课题。本课程首先讲述一些应
用的系统级规范，如WiFi、蜂窝和 60GHz。接下来，课程会讨论PA基础，包括技术考
虑，匹配，供电电压和晶体管运作模式。然后深入讨论不同PA和TX架构 (包络跟踪、极
性，Doherty、移相和全数字发射机...)，并概述它们的优点和缺点。最后将涵盖许多
实现示例，并更详细地介绍了它们的测量技术。例子包括从 180nm到28nm的技术和从
800 MHz到85GHz的频率范围。
Contents目录
1) System-level aspects of power amplifiers: different wireless
communication standards and their challenges for power amplification.
功率放大器系统级方面：不同无线通信标准和功率放大的挑战。
2) CMOS and SOI RF PA challenges: technology limitations, transistor
behavior and implementation of passives, thermal issues and packaging.
CMOS和SOI RF PA 挑战：技术限制、无源器件的晶体管行为和实现，散热问题和封装。
3) RF PA modes of operation: linear, saturated and switching.
RF PA 操作模式：线性、饱和以及转换。
4) RF PA topologies in CMOS and SOI: matching and power combining.
CMOS和SOI的 RF PA 拓扑：匹配和功率合成。
5) RF PA architectures: Envelope tracking, polar modulation,
outphasing, Doherty, Digital Transmitters.
RF PA 架构：包络追踪、极性调制、移相、Doherty、数字发射机。
6) Implementation examples and measurement challenges.
实现示例和测量挑战。
授课专家简介
Patrick Reynaert 帕特克·雷纳尔特
比利时鲁汶大学教授
IEEE高级会员
IEEE SSCS Benelux Chapter主席
全球半导体联盟混合信号和射频工作组主席
帕特克·雷纳尔特于2001年和2006年在鲁汶大学获得了电气工程硕士和博士学位，期间
他在比利时鲁汶ACE-Group担任讲师，教授电子电路设计的本科课程。在 2006年-2007
年期间，他是加利福尼亚大学伯克利分校的电气工程与计算机科学系的博士后研究员。
在伯克利无线研究中心，他加入Ali Niknejad团队研究毫米波 CMOS 集成电路。在这项
研究中，他收到比利时美国教育基金会的 Francqui 基金会奖学金。2007年暑期，他在
奥地利菲拉赫英飞凌担任客座研究员，致力于基站功率放大器线性化的研究。自2007年
10月，他在鲁汶大学电气工程系担任教授，还是 ESAT-MICAS研究组的教师成员。他的
主要研究包括毫米波和亚太赫兹 CMOS 电路设计和射频功率放大器。
帕特克·雷纳尔特是ESSCIRC和IEDM的技术程序委员会会员，IEEE高级会员，IEEE SSCS
Benelux Chapter主席，全球半导体联盟混合信号和射频工作组主席和和弗拉芒科学和
创新议会创新政策的委员会的成员(VRWI)。在 2011年-2012年，他担任 IEEE SSCS杂志
的编辑。他目前为 IEEE TCAS-1 杂志的副主编。2011年，他收到了TSMC-Europractice
创新奖。他还是2011年ESSCIRC最佳论文奖的获奖者。
一、 主办单位
工业和信息化部人才交流中心
比利时微电子研究中心IMEC
二、 协办单位
中国科学技术大学（微电子学院）
合肥市集成电路产业技术创新战略联盟
三、 参加对象
本次课程面向相关企业、科研院所和高等学校从事模拟设计和RF功率放大器设计的工程
师和科研人员。课程采用全英文授课，不配备翻译，要求学员具备英语听课学习水平。
四、 培训安排
培训时间：2015年9月8-10日（3天）
9月7日报到
培训地点：中国科学技术大学
安徽省合肥市蜀山区金寨路96号
培训班结束后，将颁发工业和信息化部人才交流中心和比利时微电子研究中心IMEC共同
证书，参加培训者可推荐参加国家“软件和集成电路人才培养计划”的评选。
五、 培训费用
本期课程培训费3900元/人
六、 报名方式
报名截止日期为2015年9月3日,请将报名回执表发送Email至icplatform@miitec.cn
通知文件及报名回执表下载：
http://pan.baidu.com/s/1c0lSSgS
更多信息请关注“国家IC人才培养平台公众号”