新当选院士的中科院微电子所刘明水平咋样

微电子领域，我朝学术界与欧美的差距远大于工业界的。基本没有任何开创性的东西。也没啥实用的。基本都是出去学术交流，发现个好的idea，然后往下衍生。刘明不了解。最近新进的两个院士一个西电的郝跃，一个北大的黄如，读书的时候都和他们有合作。也就是那样

评价；呵呵
学界就剩忽悠的了

黄如，女，1969年11月生，福建南安人，1997年7月在北京大学计算机科学技术系微
电子与固体电子学专业获得博士学位。现任北京大学信息科学技术学院院长、教授、
博士生导师，教育部“长江学者”特聘教授，“百千万人才工程”国家级人选，国家
自然科学基金委“创新研究群体”学术带头人。长期从事集成电路新器件与新工艺研
究，在低功耗器件的新机理新结构、纳米尺度器件和关键共性工艺等方面作出系统、
创造性贡献，在国际上产生重要影响，自2007年以来连续8年在微电子器件领域标志
性国际会议IEDM上发表论文19篇，成果连续3次被列入国际半导体技术发展路线图ITRS
；部分成果转移到著名的IC公司。曾获国家技术发明二等奖、国家科技进步二等奖、
国家杰出青年科学基金、中国青年科技奖、中国青年女科学家奖等多项荣誉。

  对于成熟产业就是这样。业界水平远远高于学界。
  业界对学界其实就是对学生感兴趣，对做的东西不感兴趣。
  学术圈自己玩自己的，灌水，影响因子，引用率。自娱自乐。
    当然对于那种新兴的，没有应用和市场前景的，学界搞搞
  还成。戴聿昌不是也说，我们CALTECH绝对不搞业界远远比我们
  牛逼的东西吗。

这么诋毁美女院士，你是啥动机？

你这就是张嘴就来啊，就存储器方面来说，国内比刘明组做的好的真不多。

存储器方面，国内拿得出手的有啥?
矮子里面一定要找将军?
RRAM技术尚无定论，RRAM,MRAM,PRAM等都在探索，未来谁有多大发展都不好说，再说也不是国内首创的。
那你说凭啥授予院士这么顶级的学术头衔！
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你可以看看RRAM方面全国比刘明组强的有哪个？全世界比刘明组强的用指头数数有多少？没有调查就没有发言权。

我一开始就说RRAM有多靠谱?
看paper的话，自然不差，但意义不大。
微电子还是比较接近应用的学科。
我觉得比较搞笑的是，刘院士做学术报告讲得最多的是，
某某知名期刊、教授引用或评价了她的论文。
用黄色高亮显业标出来，生怕别人不知道。
密密麻麻的，估计小笔记本上记录了非常多。
感觉挺low的。
存储全球谁最强，
我们最近一直和三星接触，有一定的了解。
他们是在MRAM,PRAM方面下了很大功夫的。
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PRAM是phase change吗？我博士是做这个的 相对比较有发言权。 RRAM variation和endurance虽然有问题但它有独特的优点。尤其是scaling上完全不是STTMRAM能比的。 STT MRAM真心看不到未来 将来不能做成3D integrated的memory都没什么前途。
PCRAM也研究那么多年了 功耗问题不小 而且低尺寸下热力学限制了材料的morphology 使得非晶单晶之间的转换 本质上都是scaling的问题。micron虽然做xpoint用了PCRAM 速度快了 但功耗仍未解决 而且据说Micron真正厉害的不在PCRAM本身而在进行选择的Non Linear Device上。
RRAM也有scaling的问题但没有原理上的brick wall更多是工程应用中的实际问题。RRAM进行工业应用研究的有好几家了 Toshiba，Sony+Micron，Crossbar等等。中国的RRAM水平我无从评价了 毕竟我没具体接触过，但我认识的做这个的清华的博士水平还是不错的。

  这个就是你的不对了。学术圈本来就是自己玩自己的。自娱自乐。
  自己HIGHLIGHT自己的引用率。你不能把工业界那一套拿进来。
   按照那个标准大学里面那些老师就不用活了。因为他们的评价体系
  就是这种文章和引用的路子。
   至于院士，中国这样每年增选，而不是死一个补一个的。就跟印钞票，
  印多了就贬值了。也不用看得太牛。国内很多院士连国外一个二三流大学
  的终身教授可能都不如。
    话说回来，美国的工程院院士，大牌教授做的东西，你以为大IC公司看得上？
   看得上也是想要你的学生，而不是做的那点东西。
    任何一个成熟工业都是这样。比如飞机发动机，你觉得哪个大学航空系的
  教授会理解得比GE的资深设计师牛吧。未必。所以，不用太较真。