请问65nm和0.13um技术,生产中主要有什么区别？
时间：12-12
整理：3721RD
点击：
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DotCom (刀考木) 于 (Wed Jun 17 10:19:23 2009) 提到:
65nm都主要要多注意什么?
我知道的是，
gate宽度不同，和最小尺寸不同，最主要区别；以及引起的光刻中需要注意的sub-wave
length feature的技术问题；
还有gate oxide厚度不同，
请问其他还有什么主要流程的区别？ 谢谢
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feynman (费曼) 于 (Wed Jun 17 11:00:52 2009) 提到:
完全不同
以我没做过65nm的人看来，看65nm的工艺完全是和90nm是不同的东西
【 在 DotCom (刀考木) 的大作中提到: 】
: 65nm都主要要多注意什么?
: 我知道的是，
: gate宽度不同，和最小尺寸不同，最主要区别；以及引起的光刻中需要注意的sub-wave
: ...................
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D0T (dot) 于 (Wed Jun 17 11:21:35 2009) 提到:
能举几个例子么
【 在 feynman (费曼) 的大作中提到: 】
: 完全不同
: 以我没做过65nm的人看来，看65nm的工艺完全是和90nm是不同的东西
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feynman (费曼) 于 (Wed Jun 17 11:23:29 2009) 提到:
因为我完全不懂65nm，很难举出例子
我只是有一次瞄了一眼65的flow，发现好像看天书一样
【 在 D0T (dot) 的大作中提到: 】
: 能举几个例子么
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freethirteen (饿黄飞弹) 于 (Wed Jun 17 12:52:49 2009) 提到:
几乎没太大的相同之处。要说最大的相同。。。都是MOS结构
光刻中你说的那个问题其实不大，通过phase shift mask和BARC+DARC流程光刻的显影基本上不难。
【 在 DotCom (刀考木) 的大作中提到: 】
: 65nm都主要要多注意什么?
: 我知道的是，
: gate宽度不同，和最小尺寸不同，最主要区别；以及引起的光刻中需要注意的sub-wave
: ...................
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parachute (Backend Designer) 于 (Wed Jun 17 22:03:58 2009) 提到:
这个要看design rule的描述了
总体来说 65nm 都是cu + low k工艺
。13 cu + lowk 用的没那么多
65 多用twin well、或triple well， 减小latch-up效应，
为了low power， 管子做成 multi-vt 的
，即有选择的进行Vth 注入调整
光刻可能更困难了，.13用157nm, opc就行了
65 不知道用什么光源， 45nm 光刻 有的是再放在液体里
叫immersion litho ( 沉浸式光刻）
【 在 DotCom (刀考木) 的大作中提到: 】
: 65nm都主要要多注意什么?
: 我知道的是，
: gate宽度不同，和最小尺寸不同，最主要区别；以及引起的光刻中需要注意的sub-wave
: ...................
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parachute (Backend Designer) 于 (Wed Jun 17 22:05:14 2009) 提到:
65，90几乎一样
据说65 良率高，很多产品 从 90直接过渡到65
90 成了过渡节点
【 在 feynman (费曼) 的大作中提到: 】
: 完全不同
: 以我没做过65nm的人看来，看65nm的工艺完全是和90nm是不同的东西
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freethirteen (饿黄飞弹) 于 (Thu Jun 18 08:31:49 2009) 提到:
这个我觉得不太对吧，cu+low k这只是描述了后端的一小部分，前端变化的东西太多了，刻蚀方式，光刻方式光是进入DUV就已经把光刻胶的原理给改了，dielectric的种类，注入的方式，via和metal的材料，gate的材料什么的。别的我不确定，如果就60nm的DRAM和前几个节点的相比，可以说是天差地别。
【 在 parachute (Backend Designer) 的大作中提到: 】
: 这个要看design rule的描述了
: 总体来说 65nm 都是cu + low k工艺
: 。13 cu + lowk 用的没那么多
: ...................
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cater (天使爱毛毛虫、有了可可) 于 (Thu Jun 18 22:16:26 2009) 提到:
ms gateox厚度是一样的。
【 在 feynman (费曼) 的大作中提到: 】
: 完全不同
: 以我没做过65nm的人看来，看65nm的工艺完全是和90nm是不同的东西
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seeflying (林枫) 于 (Fri Jun 19 22:26:29 2009) 提到:
【 在 parachute (Backend Designer) 的大作中提到: 】
: : :
:
: 光刻可能更困难了，.13用157nm, opc就行了
~~~~~~~~~~~
0.13um用248nm就可以的。65nm还是可以用193nm。
45nm就要用immersion方式了。
157nm应该是F2的，没用过。
:
: 65 不知道用什么光源， 45nm 光刻 有的是再放在液体里
:
: 叫immersion litho ( 沉浸式光刻）
:
:
:
: 【 在 DotCom (刀考木) 的大作中提到: 】
: : 65nm都主要要多注意什么?
: : 我知道的是，
: : gate宽度不同，和最小尺寸不同，最主要区别；以及引起的光刻中需要注意的sub-wave
: : ...................
:
: --
:
: ※ 来源:·水木社区 newsmth.net·[FROM: 123.65.217]
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seeflying (林枫) 于 (Fri Jun 19 22:31:52 2009) 提到:
gate的氮化方式不同。STI etch， poly etch都不同。CT从0.13的co到65nm的Ni，这是必须的。后端的IMD,0.13um多用USG或者FSG,而65nm是Low K。器件会设计几种vth管子，可以用于控制功耗。还有会考虑DFM.
【 在 DotCom (刀考木) 的大作中提到: 】
: 65nm都主要要多注意什么?
: 我知道的是，
: gate宽度不同，和最小尺寸不同，最主要区别；以及引起的光刻中需要注意的sub-wave
: ...................
DotCom (刀考木) 于 (Wed Jun 17 10:19:23 2009) 提到:
65nm都主要要多注意什么?
我知道的是，
gate宽度不同，和最小尺寸不同，最主要区别；以及引起的光刻中需要注意的sub-wave
length feature的技术问题；
还有gate oxide厚度不同，
请问其他还有什么主要流程的区别？ 谢谢
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feynman (费曼) 于 (Wed Jun 17 11:00:52 2009) 提到:
完全不同
以我没做过65nm的人看来，看65nm的工艺完全是和90nm是不同的东西
【 在 DotCom (刀考木) 的大作中提到: 】
: 65nm都主要要多注意什么?
: 我知道的是，
: gate宽度不同，和最小尺寸不同，最主要区别；以及引起的光刻中需要注意的sub-wave
: ...................
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D0T (dot) 于 (Wed Jun 17 11:21:35 2009) 提到:
能举几个例子么
【 在 feynman (费曼) 的大作中提到: 】
: 完全不同
: 以我没做过65nm的人看来，看65nm的工艺完全是和90nm是不同的东西
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feynman (费曼) 于 (Wed Jun 17 11:23:29 2009) 提到:
因为我完全不懂65nm，很难举出例子
我只是有一次瞄了一眼65的flow，发现好像看天书一样
【 在 D0T (dot) 的大作中提到: 】
: 能举几个例子么
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freethirteen (饿黄飞弹) 于 (Wed Jun 17 12:52:49 2009) 提到:
几乎没太大的相同之处。要说最大的相同。。。都是MOS结构
光刻中你说的那个问题其实不大，通过phase shift mask和BARC+DARC流程光刻的显影基本上不难。
【 在 DotCom (刀考木) 的大作中提到: 】
: 65nm都主要要多注意什么?
: 我知道的是，
: gate宽度不同，和最小尺寸不同，最主要区别；以及引起的光刻中需要注意的sub-wave
: ...................
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parachute (Backend Designer) 于 (Wed Jun 17 22:03:58 2009) 提到:
这个要看design rule的描述了
总体来说 65nm 都是cu + low k工艺
。13 cu + lowk 用的没那么多
65 多用twin well、或triple well， 减小latch-up效应，
为了low power， 管子做成 multi-vt 的
，即有选择的进行Vth 注入调整
光刻可能更困难了，.13用157nm, opc就行了
65 不知道用什么光源， 45nm 光刻 有的是再放在液体里
叫immersion litho ( 沉浸式光刻）
【 在 DotCom (刀考木) 的大作中提到: 】
: 65nm都主要要多注意什么?
: 我知道的是，
: gate宽度不同，和最小尺寸不同，最主要区别；以及引起的光刻中需要注意的sub-wave
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parachute (Backend Designer) 于 (Wed Jun 17 22:05:14 2009) 提到:
65，90几乎一样
据说65 良率高，很多产品 从 90直接过渡到65
90 成了过渡节点
【 在 feynman (费曼) 的大作中提到: 】
: 完全不同
: 以我没做过65nm的人看来，看65nm的工艺完全是和90nm是不同的东西
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freethirteen (饿黄飞弹) 于 (Thu Jun 18 08:31:49 2009) 提到:
这个我觉得不太对吧，cu+low k这只是描述了后端的一小部分，前端变化的东西太多了，刻蚀方式，光刻方式光是进入DUV就已经把光刻胶的原理给改了，dielectric的种类，注入的方式，via和metal的材料，gate的材料什么的。别的我不确定，如果就60nm的DRAM和前几个节点的相比，可以说是天差地别。
【 在 parachute (Backend Designer) 的大作中提到: 】
: 这个要看design rule的描述了
: 总体来说 65nm 都是cu + low k工艺
: 。13 cu + lowk 用的没那么多
: ...................
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cater (天使爱毛毛虫、有了可可) 于 (Thu Jun 18 22:16:26 2009) 提到:
ms gateox厚度是一样的。
【 在 feynman (费曼) 的大作中提到: 】
: 完全不同
: 以我没做过65nm的人看来，看65nm的工艺完全是和90nm是不同的东西
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seeflying (林枫) 于 (Fri Jun 19 22:26:29 2009) 提到:
【 在 parachute (Backend Designer) 的大作中提到: 】
: : :
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: 光刻可能更困难了，.13用157nm, opc就行了
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0.13um用248nm就可以的。65nm还是可以用193nm。
45nm就要用immersion方式了。
157nm应该是F2的，没用过。
:
: 65 不知道用什么光源， 45nm 光刻 有的是再放在液体里
:
: 叫immersion litho ( 沉浸式光刻）
:
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: 【 在 DotCom (刀考木) 的大作中提到: 】
: : 65nm都主要要多注意什么?
: : 我知道的是，
: : gate宽度不同，和最小尺寸不同，最主要区别；以及引起的光刻中需要注意的sub-wave
: : ...................
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: ※ 来源:·水木社区 newsmth.net·[FROM: 123.65.217]
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seeflying (林枫) 于 (Fri Jun 19 22:31:52 2009) 提到:
gate的氮化方式不同。STI etch， poly etch都不同。CT从0.13的co到65nm的Ni，这是必须的。后端的IMD,0.13um多用USG或者FSG,而65nm是Low K。器件会设计几种vth管子，可以用于控制功耗。还有会考虑DFM.
【 在 DotCom (刀考木) 的大作中提到: 】
: 65nm都主要要多注意什么?
: 我知道的是，
: gate宽度不同，和最小尺寸不同，最主要区别；以及引起的光刻中需要注意的sub-wave
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