请问这种情况下NMOS管会不会击穿
时间：12-11
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bulk = 0V，source/drain = 6V
0.18um工艺下的厚栅管，也就是340nm NMOS。
0.18um工艺下的厚栅管，也就是340nm NMOS。
顶
bulk-drain的pn结反向击穿电压一般是多少？
6V算高压了，这个要特别问foundry的。Nominal Vdd是多少？
nomial vdd 对 0.18um的管子是1.8V，对0.34um的管子是3.3V
没问题
1.8V的NMOS S/D都可以撑到7.2V，何况3.3V的
Gate还可以更高
雖説DC是這樣，但是要記得實際的狀況裏面power是會抖的