pn结的反向击穿电压与结面积有关系吗？

反向击穿跟结面积没啥关系吧,不是主要由较低的doping决定的吗?

哪儿来的结论？
实际中面积大了，一致性变差更容易击穿

模拟电子中,点接触式二极管的结面积小,容易被击穿,不耐高压

这是我在二极管介绍中看到 点接触二极管,结面积小 容易击穿

点接触二极管其实更容易被反向击穿,结面积就很小
我觉着是pn结厚度更薄的缘故吧
因为点接触的二极管 是金属丝和一个半导体表面接触形成的
可以近似为掺杂浓度很大, 金属---近似为掺杂浓度很大的半导体

结构相同，doping profile相同的device耐电压值相同，与面积无关
但面积越小，能承受的电流或者说energy越小，所以可以说越容易被击穿。

原文的说法是， 点接触二极管形成的pn结面积很小小， 所以极间电容很小，同时也不能承受高的反向电压和大的电流
反向的时候，相当于一个电容吧， 这个承受较高的反向电压是指高电压被击穿吧？

不是很清楚你说的原文具体表达的是什么内容。
能承受的反向电压与面积是没有直接关系的，面积只会影响charge，电流或energy。
不过如果P与N的接触部分形状比较突兀（比如一点接触），由于edge effect，会使得PN电场大于理论的平面性接触，从而降低break down voltage，不知道这是不是你要的答案。

我估计你说就是答案吧 应该可以解释点接触二极管耐压低的原因
你学习的是什么教材阿，太厉害了，我希望可以学习一下
现在是小白的水平阿，希望自己可以设计电路画板子

有不少device方面的书，你可以有空了在网上看看评论啥的。
Physics of Semiconductor Devices
Simon M. Sze
Semiconductor Device Fundamentals
Robert F. Pierret