简单的问题~~雪崩击穿和齐纳击穿的机理和区别

看到有公司的笔试题目就是这个。。。怎样能简洁的说明它俩的区别呢~~~~~

随便翻翻半导体物理就知道了
雪崩击穿  反向偏压过大，势垒区中电场很强，电场漂移作用使载流子具有很大动能，与晶格原子碰撞，产生一个载流子对，如此继续下去，载流子大量增加，就是倍增效应了。雪崩击穿是高能电子空穴把满带中的电子激发到导带
齐纳击穿也就是隧道击穿，强电场作用下，由于隧道效应，使大量电子从价带穿过禁带而进入导带所引起。
从掺杂浓度上看，一般浓度下雪崩是主要机制，因为此时必须加大反偏才能发生隧道效应，但浓度低势垒宽度增大，隧道长度变长，不利于隧道而利于倍增
掺杂浓度高隧道为主要机制，势垒区宽度小，不利于倍增，反偏不高时就能发生隧道击穿。

赞一个