问个PDK中的击穿电压问题

看到某CMOS PDK，其中说到breakdwon volatg提到了两个不同的值，一个是gate
oxide breakdown volatge大概是5V多，另一个junction reverse breakdown
voltage大概是3V多，我不是很明白，他们这些都分别对应着DGSB哪些terminal之间的
电压？请解释，谢谢

请解释这些击穿电压对应着哪些terminal之间的电压？

NMOS Vg=Vb=Vs=gnd  meas VD
Vd=Vs=Vb=gnd  meas VG
搜索下并不麻烦

不好意思，不太明白你说的意思，我google了一下也没有找到什么解释，请具体说明一
下，谢谢

junction reverse breakdown 是pn结反向击穿，bulk和source，bulk和drain之间的
gate breakdown是栅氧化层击穿，是gate和其他端得击穿