【收藏】268条PCB Layout及电路设计规范

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238	器件选型	只有在屏蔽机箱上才有必要使用滤波连接器
239	器件选型	选用滤波器连接器时，除了要选用普通连接器时要考虑的因素外，还应考虑滤波器的截止频率。当连接器中各芯线上传输的信号频率不同时，要以频率最高的信号为基准来确定截止频率
240	器件选型	封装尽可能选择表贴
241	器件选型	电阻选择首选碳膜，其次金属膜，因功率原因需选线绕时，一定要考虑其电感效应
242	器件选型	电容选择应注意铝电解电容、钽电解电容适用于低频终端；陶制电容适合于中频范围（从KHz到MHz）；陶制和云母电容适合于甚高频和微波电路；尽量选用低ESR（等效串联电阻）电容
243	器件选型	旁路电容选择电解电容，容值选10-470PF，主要取决于PCB板上的瞬态电流需求
244	器件选型	去耦电容应选择陶瓷电容，容值选旁路电容的1/100或1/1000。取决于最快信号的上升时间和下降时间。比如100MHz取10nF，33MHz取4.7-100nF，选择ESR值小于1欧姆
244	器件选型	选择NPO（锶钛酸盐电介质）用作50MHz以上去耦，选择Z5U（钡钛酸盐）用作低频去耦，最好是选择相差两个数量级的电容并联去耦
245	器件选型	电感选用时，选择闭环优于开环，开环时选择绕轴式优于棒式或螺线管式。选择铁磁芯应用于低频场合，选择铁氧体磁心应用于高频场合
246	器件选型	铁氧体磁珠高频衰减10dB
247	器件选型	铁氧体夹 MHz频率范围的共模（CM）、差模（DM）衰减达10-20dB
248	器件选型	二极管选用：
		肖特基二极管：用于快速瞬态信号和尖脉冲保护；
		齐纳二极管：用于ESD（静电放电）保护；过电压保护；低电容高数据率信号保护
		瞬态电压抑制二极管（TVS）：ESD激发瞬时高压保护，瞬时尖脉冲消减
		变阻二极管：ESD保护；高压和高瞬态保护
249	器件选型	集成电路：
		选用 CMOS器件尤其是高速器件有动态功率要求，需要采取去耦措施以便满足其瞬时功率要求。
		高频环境中，引脚会形成电感，数值约为1nH/1mm，引脚末端也会向后呈小电容效应，大约有4pF。表贴器件有利于EMI性能，寄生电感和电容值分别为0.5nH和0.5pF。
		放射状引脚优于轴向平行引脚；
		TTL与CMOS混合电路因为开关保持时间不同，会产生时钟、有用信号和电源的谐波，因此最好选择同系列逻辑电路。
		未使用的CMOS器件引脚，要通过串联电阻接地或者接电源。
250	器件选型	滤波器的额定电流值取实际工作电流值的1.5倍。
251	器件选型	电源滤波器的选择：依据理论计算或测试结果，电源滤波器应达到的插损值为IL，实际选型时应选择插损为IL 20dB大小的电源滤波器。
252	器件选型	交流滤波器和支流滤波器在实际产品中不可替换使用，临时性样机中，可以用交流滤波器临时替代直流滤波器使用；但直流滤波器绝对不可用于交流场合，直流滤波器对地电容的滤波截止频率较低，交流电流会在其上产生较大损耗。
253	器件选型	避免使用静电敏感器件，选用器件的静电敏感度一般不低于2000V，否则要仔细推敲、设计抗静电的方法。在结构方面，要实现良好的地气连接及采取必要的绝缘或屏蔽措施，提高整机的抗静电能力
254	器件选型	带屏蔽的双绞线，信号电流在两根内导线上流动，噪声电流在屏蔽层里流动，因此消除了公共阻抗的耦合，而任何干扰将同时感应到两根导线上，使噪声相消
255	器件选型	非屏蔽双绞线抵御静电耦合的能力差些。但对防止磁场感应仍有很好作用。非屏蔽双绞线的屏蔽效果与单位长度的导线扭绞次数成正比
256	器件选型	同轴电缆有较均匀的特性阻抗和较低的损耗，使从直流到甚高频都有较好特性。
257	器件选型	凡是能不用高速逻辑电路的地方就不要用高速逻辑电路
258	器件选型	在选择逻辑器件时，尽量选上升时间比5ns长的器件，不要选比电路要求时序快的逻辑器件

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