单层poly，单层Metal的工艺大家用的多吗？

想了解一下， 单层poly，单层Metal的工艺大家用的多吗?
用在高压工艺的有吗?
用来做集成电路的开发有没有（分立器件开发除外）?

我感觉虽然单层poly，单层Metal的工艺在流片方面比起其它多层poly和多层金属工艺的成本便宜外，其它方面的优势没有什么了，各位觉得呢?
（单层poly，单层Metal在连线方面特别烦人，到处需要用到poly做连线转换，弊端很大啊！）

1P1M的工艺相比多金属层的工艺，优势在于少mask，直接影响就是降低成本，一层mask几千块，但劣势是，相同电路用1P1M，寄生电容电阻较多，而且版图面积较大，从而导致一张wafer能产出的芯片个数会减少，成本又上去了。因此选用哪种工艺要根据项目进行评估，看项目能接受哪种，是面积优先还是性能优先，还是纯粹考虑成本等等。当然从画版图的角度，3层金属连线比较舒服。

成本便宜这么大的优势...

那你了解那些代工厂用的多吗?

1p1m的也好画，就两种连线，这种芯片应该不是性能放在第一位的 一切为了省钱，钱。

嗯，确实是想省钱钱，不要性能

小编有考虑过用active走线?psub上用带N注入的active。是不是理论上不会和psub连通。做到没做过，经理以前做过，说用active走线，注入就没问了，自己想的。

你的经理太牛了用active走线

4" and old Fab have this process . 一般是便 宜
做玩具IC 還可以

简单工艺1P1M有9张到10张mask，加一层metal要加via和metal2，除了NRE增加mask费用，wafer成本的话相同面积下die成本增加20%；如果连线不复杂，增加层次以降低面积节约的成本无法cover这20%左右的成本增加。（在小die尺寸analog设计里这个这种情况比较常见 。）
7楼所说的情况，我理解是1M有一部分是铝栅工艺，没有了那个P（poly），确实只能用metal1和N+连线，别无选择。
小编问高压工艺，我觉得你这个1P1M用poly走线是少不了的，要小心场管开启。

我居然还真用过1p1m，真神奇

这里的几层金属几层Poly是怎么计算的呢?是在深度上排布吗?