rpoly电阻、埋层和外延的问题？

大家好，本人是新人，刚接触BCD工艺（5v/40v、24v/40v），读文档时对下面几点不是很理解，请高手解答下，谢谢！
1、这个工艺是在PSUB上面普打的PBL，然后通过注入将PBL反型成NBL、在NBL上面是Nepi，我想知道的是在PBL上面也是Nepi吗，也就是说整个埋层上面都是Nepi吗?
2、rpoly电阻是做在field oxide上面的，跟下面的sub应该没什么关系，怎么我看到PCELL中有个电阻下面包了一层PP，还有个只有contact下面包了PP，这是为什么呢?
3、接上2问题，既然rpoly电阻是做在field oxide上面的，那在下面也就不需要再做隔离环了，如果设计人员要求做隔离，那我应该怎么做呢?因为是Nepi，是不是在电阻下面做个Pwell，再在里面做一个接地的隔离呢?还是在Nepi里面做NP接高电位，这样不好吧。

怎么没人回答?小编呢?

1、外延是在wafer上整体长出来的，所以不管下面是P埋层还是N埋层还是P/N都有，同一片wafer，外延只能是一种类型；
2、poly也是可以掺杂的，poly电阻的方阻大小可以通过掺杂浓度的大小来调整，掺杂浓度大则方阻小，掺杂浓度小则方阻大。poly电阻整个被PP包围，那是整个掺杂浓的P型杂质，方阻就比较小，通常最多几十欧姆，只有电阻头被PP包围，那是电阻头掺杂浓的P型杂质（降低电阻头的电阻），电阻体没有PP，不代表工艺上没有掺杂，可能只是掺杂浓度比较小，方阻就比较大，可能是几百欧姆至几十千欧姆；
3、按我的理解，poly电阻不需要隔离

楼上的是工艺大牛哟学习~

3ks，那我想让rpoly电阻下面安静点，该怎样做呢?（Nepi）

学习。

学习中，谢谢！

学习了

既然是BCD工艺，那重要的电阻可以做在高压N阱里面再用高压P阱隔离吧?这样就把N隔离出来了