Metal cap,LVS 无法识别，请问大师如何改LVS rule？
很好奇的问在开发新工艺吗?
简单的需要加识别层吧，然后改rule
不是新工艺，就是因为没有识别层，所以才想搞清楚怎么弄，具体要改写什么东西，下次就不用再问了
那家的工艺，没有pcell吗?
用的是UMC18工艺，没有用MOScap，因为MOScap没有Metal电容精准。我先找找资料看看，到底该怎么弄，有知道的请不吝相告，多谢~
识别层
查看lvs file里是否有这种device，如果有再根据产生device的操作看缺少什么识别层
谢谢各位，已经搞定，是缺少识别层，我在LVSrule里面，定义一层识别层，就可以了。
直接注释 网表里面的cap算了， 自己知道有个cap就行，
看看LVS rule中如何定于Metal电容的先
小编分享您识别自己所做的metal cap的经验，最近我也在弄这个，不懂这个，谢谢！
有model吗?咋判断就比mos cap准?
随便找一个不用的层次将你认为的MOSCAP全部框起来，然后做器件识别时，利用AND语句将你所添加的层次与MOS管的GATE进行与运算，然后这样出来的器件就是你所认为的MOSCAP，但是这样需要你对电路的网表编辑，添加出所需要的MOSCAP的symbol，不然无法识别器件参数大小
metal CAP 比MOS cap 要更精准一些，偏差较小，也是前辈们的经验。
就是找一个定义过没用的layer层，把它定义成CAP maker layer
DEVICE C(CM1-M5) xxxx ME1 ME1 [1.600]
CM1-M5就是定义的器件名字，xxxx就是CAP maker layer， ME1 ME1 是两个电容端口，括号里面的就是电位电容容值，不过电容要以后防抽取的为准，这个主要为了过LVS方便些。
用的时候，要把它写到lvs.rule 里面，layout上要盖上 xxxx 这一层，才可以过的哦