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关于电阻问题

时间:10-02 整理:3721RD 点击:
普通的电阻做到Nwell上,在LVS。DRC都是可以过的,不知道实际生产出来是否有问题?

普通電阻是指?
N-Well可以做電阻,poly可以做電阻,有沒有加RPO更可以決定阻值的高低
你要不要先定義你普通的電阻是指什麼電阻呢?

能再具体点么?

你的意思是在底下加NWELL来得到更好的隔离效果么?
可以这样做,但是具体效果需要测试。如果条件允许,可以做对比版本走工程批。

是这样的,片子送出去了,等结果呢

你说的意思是把RES放在NWELL上吧?毫无疑问,这只有POLY电阻是在NWELL上面,PDIFF电阻是在NWELL里,通常NWELL接最高电位,找个干净的电位;有些时候NWELL也可以接干净的地(对POLY电阻而言),此时外面应该再有PTAP环

3Q是这样滴没问题

同意六楼!

这个design rule里 一般都有详细说明的。 有的工艺推荐poly电阻放在nwell上,有些则不用。如果是poly电阻,现在的工艺都有STI层,下面做不做nwell影响不大吧

有些設計者會比較在意電阻的電性在另外放在well裡面,不過還是先看一下rule吧

duchao881001,有测试结果可以公布一下,让我们了解下

这个应该没有问题的,增加隔离了!

想请教一下PRO是什么?谢谢~

tsmc的RPO, 在umc裡面叫做SAB,一般常見的用途是做hrpoly電阻(就是高阻值電阻)時會用到,

用途就是在silicide的製程裡, 做完poly後,
有框RPO的地方就不會長silicide.
因此poly會保有原本的高阻值

我知道的大概是這樣, 還請大家多多補充

nwell diff nimp pimp poly 都能當電阻

已经很详细了!多谢!

如果drc能过,说明foundry是允许的。poly电阻放到nwell中,也是一般的做法,期望能减小substrate过来的noise。

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