CMOS集成电路的划片封(seal ring)到底是什么样子的？ 接触和过孔都是连续的么？

CMOS集成电路的划片封(seal ring)到底是什么样子的呢?
对于回流平坦化(0.5um及以上工艺),以及CMP的工艺(0.35及以下工艺), 划片封中接触和过孔都是连续的么?
我的理解都应该是连续的长条形接触和过孔，但是在几何设计规则中，是不允许非正方形的非最小尺寸的接触和过孔的。划片封结构是怎么通过几何设计规则检查的呢?
另外，如果划片封中的接触和过孔允许是连续的，那为什么芯片电路中的不允许呢?可能造成金属断线(对于回流平坦化工艺)?可能导致钨金属去除不完全(对于CMP工艺)?可能造成N+扩散区与P阱间的短路?如果确实需要在电路中绘制连续接触和过孔，通过MPW流片，代工厂能接受么?

看design rule

电路中一般都不允许使用长条接触孔或者过孔的。
但是Sealring上的接触孔和过孔，一般都要求使用一个整条的长方形孔，整个一周形成护城河形式，这个是因为Sealring在切片过程中防止水汽进入芯片内部电路，而护城河形式的孔可以很好的吸收切片过程中所形成的水汽。

不同工艺要求不一样吧，有些工艺的sealring 并不是画长条形的，也是正常的方形。

有些工艺有EXCL层次，可以免去DRC检查；
没有这个层次，忽略DRC错误了

有些工艺会既有方形又有条型，同时的。