为什么Hot Nwell的宽度要加大？

请教大家：请教大家：某fab的0.18 3.3/5V CMOS工艺的设计规则中规定：
1)最小Nwell 的宽度0.86um。
2）最小 hot Nwell（没接最高电位VDD）的宽度2.1um。
这是什么原因?以前知道hot Nwell到旁边Nwell、N+ TO间距要放大，是为了防止潜在latch up风险。实在想不明白宽度也要加大?此处的hot Nwell不是用来做Nwell 电阻的，规则中另外有单独定义做电阻最小Nwell宽度的。

抱着学习的态度 我也想求个知道什么是hot NWELL

hot Nwell 应该就是这个井的电位不是固定的吧

相对hot nwell的是cold Nwell，即接电源VDD的Nwell。
hot nwell即不接VDD的Nwell，因其可能接Pin或易受其他外界因素如脉冲、信号影响，可能出现负电位、或高于VDD的电压，容易导致寄生管导通、latch up等问题。

那和宽度加大有什么关系呢?

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