关于栅源电压与漏源电压对夹断区宽度的影响的问题

由MOS饱和区电流公式可以看出IDS 与（VGS-Vth）的平方成正比，沟道夹断与Ids有关，电流越大 越容易产生 举例 对于NMOS 漏极电流iD沿沟道产生的电压降使沟道内各点与栅极间的电压不再相等，靠近源极一端的电压最大。

我以前看书对此处做的笔记是将这个宽度理解为纵向耗尽区深度，但是现在回过头看，此刻我自己也不大明白了。

作者说了，“不太明显的是”。我想漏电流和漏源电压有关，电流变大了，电压多少也有一点点变化，因此夹断区宽度也会有变化。

谢谢各位，我明白了，书上的这句话是没有错误的。
以在饱和区的NMOS管为例，当栅源电压不是很高的时候，沟道内与栅极电压相等的那点（假设是G点）接近源端，因此夹断区很宽。随着栅源电压升高，G点往漏端移，夹断区随之变窄；当栅源电压升高到一定程度，漏电流增大到使在沟道内的电阻产生的电压不可忽略的时候，G点反而向源端偏移，夹断区就会变宽。不过后一步夹断区的变化应该是没有前一步夹断区变化明显。

谢谢，你的话很有用