如下图0.18普通CMOS工艺能不能接13V！

如图0.18普通CMOS工艺，1、二极管的正极能否接负13v电压，还有接了会不会击穿阱和衬底。2、在负极接13V电压是否可行，会不会使阱和衬底之间击穿。还有如果大神知道接高压会导致其他后果，希望能详细说明，谢谢了！

那你要查，BVGS BVDS的值了 据经验看BVDS不会超过4V如果是纯CMOS工艺.

只有1.8V和3.3V的mos管，工艺中也有bipolar层次但不知道能抗这个电压不。

唉，这个我就不了解了。 你需要问问foundry了

0.18普通CMOS工艺 只有 1.8V 和 3.3 V 器件。我们现在用的是 EFLASH 工艺 耐压可以做到 12 V

非常感谢！

没碰到过！应该不行！

标准工艺里的N阱掺杂太高，达不到你的耐压要求的。

CIS工艺可能行得通不?

小编要做SPAD吗

为啥要这么高的电压

设计新器件

这个构造的器件就是为了雪崩击穿时用的

恩，