有关电容为什么要放在N阱里面的讨论

PMOS做的电容，首先那是个P型MOS管，肯定得放N阱里面啊！
其他的电容，好像只见过用N阱环包起的，起隔离或者避免软连接的作用吧。
不知道对不，请大家指正啊，谢谢。

差不多也是这样

什么是软连接?

对软连接的感觉就是：不能连接在一起的期间通过P+衬底连接在了一起。不知道对不对。

N阱接一个固定的电位 可以起到屏蔽作用，减小电容与衬底间的寄生电容，从而减小对衬底的影响，个人观点。也可以用Ptap围起来，当电容下的衬底电位产生微小波动是，可以迅速通过Ptap接地，减小衬底电位波动。不知道我说明白了么?

感觉应该是ACTIVE连接了但是金属没连啊?

作用是降低cap的阈值电压，使电容的值在更低阈值电压下就立即变得稳定。因为电容的值不是固定的，和阈值电压有关系。

就是屏蔽噪声

隔离衬底噪声吧

同意8楼观点。用来调低阈值电压的。

隔离噪声?给电容带个耳塞?

学习了。

软连接一般是通过非金属/poly 而是由扩散区形成的连接
你可以看一下LVS的规则文件 看看上面对这方面的定义

电容放在N肼是抵御衬底（SUB）的噪声吧SUB太脏了我们连金属电容也放在肼中的 不仅仅是扩散电容

noise

电容放到N WELL里面可以隔离PSUB的噪声，难道NWELL里面就没有噪声吗?NWELL不是接高电位，波动也很大，应该也会影响电容吧?各位大大是怎么看?

还有一种情况;把NMOS放在NWELL做电容的。可以称作ncapnwell，NWELL不需要再接另外的高电位，因为此时S/D已经把NWELL接到固定电位了。这样的电容好处是：NMOS工作在积累区，在栅极电压很低时沟道就已经形成==》电容速度快。
而与之相对的PMOS电容是工作在反型区，速度慢。

在硅片上做电容，一般都不准，而且要求的电容值比较高，在阱上面做电容，会形成一个三明治结构的电容，容值会加大。还有一种电容就是poly gate 和 nwell 形成的电容，ND电容。

若是将Nmos做在NWell，则不会形成沟道，完全工作在积累区，其实此时的S/D已经不再做为源或者漏区分了，它们只是Nwell的接触而已，即使只用一端连接也是可以的。也就是楼上说的ND电容，但是此时的电容是工作在相当与P管的积累区，而不是N管的积累区。

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我同意 你的看法，
MOS 管放在N阱中，如果栅接高电位，
阱和SD接高电位，那么应该是工作在PMOS 管的积累区 。
此时电容值是比较大的，

请问各位，如果mim电容放在nwell中，那么nwell是接电源还是接地，或者是悬空?谢谢。