MOM电容与MIM电容的区别

MIM一般用最高的两层metal；MOM可以用很多层金属。楼下继续补充。

MOM是使用用来连线的metal自然形成的，可以多层stack插指形成；
而MIM一般用两层位于TOP metal和Mn-1之间的薄铝或者用一层薄铝和Mn-1形成电容。

MOM 是 fringe cap 为主
MIM 是平板 cap 为主

MOM 是tsmc的说法： metaloxide metal , 就是同层2根metal route之间oxide之间形成的cap，
可能任何工艺都有这个cap，
MIM ： metal insulator metal， 这个在Analog、RF工艺里面才有，用来做 高精度的cap，
由Mtop和mtop-1 之间垂直方向形成，logic工艺是不提供的，
MIM的2层metal 特别厚， 一般是下面的好几倍甚至是10几倍

"MIM的2层metal 特别厚， 一般是下面的好几倍甚至是10几倍"
对于这两层metal的厚度表示怀疑,真的会是下面的metal的几倍甚至10几倍么?
个人感觉选择thick metal是为了增大电流密度,且thick metal通常是top metal, 可否提供一下数据看看。假如真的那么厚，把metal做的这么厚的作用是什么?

主要是 电阻小， EM好，电感Q值大，这个做电感的人知道的，
用MIM 做天线，

谢谢，RF Layout么，未曾做过。

请问一下：MIM 是由Mtop和mtop-1 之间垂直方向形成的吗?
我们公司有的是TSMC的2P6M的，但是MIM电阻是M5和M4两层啊?

估计是因为设计规则中顶层金属的宽度和间距较其他层大很多, 要求也多. 为了便于布图会多选一层金属作为顶层,一般不做为布线层. 如有必要可能会做些顶层金属的DUMMY放上 .

MIM电容不是Mn和Mn-1想程的，但是是用这两个层次做上下级版是没错的：）

因为M和M-1层金属之间的氧化层较厚，所以挖槽在下面形成电容上极板，形成的电容容值更大

MOM的layout画法可以在我签名的网站里搜索MOM找到

LS你的个人网站还存在吗?

您好，请问这个怎么连接，需要正负极的。http://bbs.eetop.cn/thread-326070-1-1.html

MOM电容你想用哪几层金属你可以自己调节的，PDK里头有这个选项的。

10几倍这个说法我不赞同，一般顶铝是下层铝的几倍就不错了，主要是减小铝电阻，增大单位电流密度，MIM在xfab看过，是一层铝与一层特殊的夹层铝形成的电容。

是的。mim层很薄，不在工艺描述的1p6M或者1p8M中的metal中。特别的一层。

解释的不错

在网上搜索到一篇帖子，讨论得很详细
[制程] MIM与 MOM

nicer

很棒

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NICE ！

MIm两层金属，MOM许多层

MIM在高精度采样等用处时要注意分正负极，MOM则不需要。

正解~在所带pdf文件中是这样解释的

有个1.0fF MIM 电容模型for metal scheme 1P6M only和2.0fFMIM电容模型for scheme 1P4M only是什么意思啊?

学习了

thank you