MOM 电容和MIM电容的区别是什么？

MIM need two different metal layers, and insulator layer is between these two layers. MOM use metal fringe cap, so MOM only require one metal layer, but has area overhead.

mos cap => volt depend
MIMor PIPnot
but mos 單位电容value > mim /pip
> 0.35um use PIPpoly1 /poly2 电容
< 0.25umuse metalmetal电容
對拉到底 pipmim 电容能耐到多高壓?pip 电容好像 15v breakdown ..
MIN 电容 能耐到多高壓?
如果要 30v 电容 只能用高壓MOS 嗎?

谢谢

是和2楼说的一样，大工艺，一般都是mim电容，小工艺寄生比较大，而且一般metal层比较多，所以用mom电容更省面积。

Q值：
MOSCAP<MIM<MOM

haihao

看着都长见识，谢谢你们的讨论

MOM也就是finger 电容，即利用同层metal边沿之间的C，为了省面积，可以多层metal叠加；
MIM是利用上下两层metal之间的C，即极板电容，下极板为Mn，上极板为Mn+1，因为普通的Mn和Mn+1在三维空间隔着氧化层离得比较远，所以C并不大。MIM会引入一层光罩（MCT之类），这一层做在Mn上面，Mn+1下面，用Vian与Mn+1相连，所以实际上是Mn与MCt之间的C，极板间距缩小，C变大。

谢谢！刚好要找这个

厚着脸皮问一下，请问Q是什么