工艺库里面没有金属电容，可以自己画金属电容吗？
design rule里面没有吗?
如果严格要求两个都不可以画，没有严格的器件模型。对于要求精确的电容没有任何意义.
对电容精读要求不高，设计指标1.8pf能做到1到2.6pf就行了，但对电容比值有要求库里面rule没有定义
有办法吗
那往大了画呗,MOM 和MIM都可以， 还是蛮大的，推荐MOM 用金属的侧壁电容2-TOP. MIM电容也可以，推荐顶层TOP TOP-1层。算起来可就受罪了，尤其是侧壁电容,可能引要去SPICE 文件里去找了。
这个要质询下 Foundry . 金属 MIM 电容是要多层 MASK 的。MOM 电容很少用到。一般我都是自己画的 金属侧壁电容，只要满足 DRC 规则，这个电容是寄生电容，容值比较小。
我晕哦，你们做版图这么自由的啊，没有的东西就自己画啊?
难道不是先问design能不能改成库里有的吗?不能改才去找foundry看这东西能不能做?该怎么layout的吗?
不然你自己画的东西仿真怎么仿?
正如zphcd 所说，MOM电容其实还是平板电容器的延伸，只是需要额外考虑fringe electromagnetic field 对电容值的影响。准确的值需要通过三维电磁场工具建模仿真得到。但是这个值的精度依然取决于你对工艺参数的了解（如介电常数，金属的宽度和厚度，氧化层的厚度），如果你能得到这些数据，通过仿真就可以得到准确值或者均方差等。不过，不通过仿真，应该也会有一阶的方法来估算，可能偏差会大点。
ps：这只是我个人的理解，希望大家指正
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这个要质询下 Foundry . 金属 MIM 电容是要多层 MASK 的。MOM 电容很少用到。一般我都是自己画的 金属侧壁电容，只要满足 DRC 规则，这个电容是寄生电容，容值比较小。
也学习了
也学习了~
mos cap 是OXIDE 夠薄,
PIP or MIM 都須要多層MASK 去把IMD 吃到夠薄
否則你可去看高壓 mos 的CAP 有多小?
光自己畫 metal1metal2垂直方向寄生間的電容因為隔很遠.. 電容其實是不大
除非你畫的相當相當大..
有些人因為 MOS CAP 低壓下, 除 高壓對稱MOS 外沒其他,
但高壓MOS 是 dual gate process 才有的,
但是 有些BCD PROCESS只有 drain耐 壓 ,
GATE 只有耐低壓,
有人是用 metal 間畫橫向 finger type ..就是拿寄生電容
拿來用, 但是這要畫的很大很大..
要看是什么metal cap
如果是 MIM 这个要问 FAB
MOM 的话，直接抽 RC 出来的值就可以了
mim是要特殊工艺，增加层数的，就是你画了，也未必给你做。
mom是利用寄生。foundry如果提供版图是最好的，但是也有要额外收费才提供版图的。如果你直接问foundry，foundry肯定说自己做不行，除非你们公司比foundry强势太多。
但是自己做只要仔细些，也没什么问题，我们就自己做过。
用同线宽其他工艺厂有的PCELL直接导吧， 金属、介质、测试结果都不会差得太离谱。
金属电容?宏力有MIM电容啊，为什么要自己画金属呢
建議詢問一下foundry比較好喔
若不care容值得電容
那應該是可以用metal畫
但要小心有專利問題
xuexile
学习了