什么是天线效应，如何消除？

一个小尺寸MOS管的栅极与具有很大面积的第一层金属线连接在一起，在刻蚀第一层金属是，这片金属就像一根“天线”，收集离子，使其电位升高，在制造过程中可能MOS管的栅电压可增大到使栅氧化层击穿，这个击穿不可恢复。这个就是天线效应。任何与栅极连接的大片的导电材料，包括多晶硅本身，都可能产生天线效应。
一般采用跳线，来避免天线效应，列如M1，使用Via12,跳M2来走线，即可避免。

网上很多信息，搜一下！

嗯，还可以加二极管哈

学习下。

2楼已经讲了大概了！
解决方法除了一般的跳线法外，还可以在栅上加类似于ESD保护的二极管电路来避免电荷在栅上的积累！

学习一下！

加缓冲器！

跳线就可以了

謝謝分享

能具体说说跳线是怎么回事吗

二极管会不会增加电容，是不是所有的地方都可以加二极管?跳到高层线为什么就可以减少电子，是不是做每层金属都会 有道工艺减少电子， 什么工艺?求大神全面分析

二极管会不会增加电容，是不是所有的地方都可以加二极管?跳到高层线为什么就可以减少电子，是不是做每层金属都会 有道工艺减少电子， 什么工艺?求大神全面分析

坛子里搜吧，一搜一堆。

学习学习！

顶起来啦

了解,謝謝分享

学习了

感谢2楼细心解答谢谢

麻烦问一下，多大面积的金属需要考虑天线效应呢，有没有大概的定量要求呢

在数字化设计流程下，EDA工具会自行补上的Antena二极管。若是模拟电路，最好在每个输入的引脚上放一个gate grounded 的NMOS，这样就不会治的Antenarule fail了