ASMC工艺中，有一种BCD的工艺，其中metal层有选择

ASMC工艺中，有一种BCD的工艺，其中metal层有选择，2层（M1、MET）或者3层（M1、M2、MET）,2层（M1与MET通过VA1相连）或者3层（M1与M2通过VA1相连，M2与MET通过VA2相连）,我就是想知道，在参加MPW的时候，如果其他家用3层Metal，而只有我们家用2层的，这是怎么实现的?还是分开跑的，不是做在一块版上的?如果做在一张版上的话，是怎么做的?

做在同一块版上，但是分开跑。

管她怎么跑，你pad跳到metal3开窗就行咯

楼上说得好有道理

这样2种东西能做在一个圆片上?

我就是不知道fab厂是怎么做的，所以想请教大家，MPW的时候，怎么实现

同一块晶元上可以做不同flow吗?

你好，我最近也遇到相似问题，我们的metal层数少于别家的，我们5层metal，别家8层。这牵涉到一个top metal 厚度的问题，和顶层metal到次顶层 metal 的 via 深度的问题，这是我的困惑，能帮我解答下吗?