density不足或过多对芯片的影响？

这个主要是涉及DFM问题，如果密度不满足要求，那么会影响CMP的平坦度，也就会影响批次工艺的稳定性，所以在工艺稳定的前提下会一定要求密度填充。如果DFM问题不解决，批次的良率就会很低，良率---就是钱啊。

简单说来，density不够的话，经过工艺线上各道工序后，很多金属连线的宽度会变细，margin变小，极端的甚至会断掉

本人小菜，请问能否给予DFM和CMP的全称啊?

刚看到的资料
试想芯片上的金属密度不够均匀，有的地方密度大，有的地方密度小，那么在经过金属淀积后，metal density小的地方已经出现了低凹，再进行刻蚀和抛光后，原本Layout（版图）上 density较低的区域，对应在wafer上此时的metal的厚度要相比metal density较高区域的薄。故直接影响到wafer的平坦度，从而影响后续工序的精准度，造成IC之电性不良、直接影响wafer的良率。
当整个芯片layout金属密度过低时，wafer 上对应需要刻蚀掉的metal量就多，容易造成刻蚀不干净，有过多metal残留于wafer上，影响后续工序。而当整个芯片layout金属密度过高时，则wafer 上对应需要刻蚀掉的metal量就少，容易造成刻蚀过量，对正常的metal导线也去刻蚀掉。1

Design for manufacture和Chemical Mechanical polishing

多谢！

长知识了，多谢。

好像说反了吧，我记得是metal density越高的区域metal越薄

请大富豪解释下，好让大家理解、学习，因为我也只是查到的资料，谢谢！

到底哪个是对的?！大牛出来解释下，不要误导小弟啊！

CMP对于Isolated区域铜线研磨快, dense区域较慢, 所以需要控制metal density.

我也不是做工艺的，不过就我知道的metal density的影响。
（1）Al 铝互连工艺
对于以前的Al 铝互连工艺， 是刻蚀metal，那是先淀积铝，然后再光照，刻蚀掉不需要的铝，剩下的就是铝连线。那么在metal density高的地方刻蚀窗口小，容易有残留，在density低的地方，刻蚀窗口大，去掉的metal多，容易把需要留下的那一小点铝也一起刻蚀掉。
（2）Cu互连工艺
大概在180nm到130nm的时候，大家开始使用铜互连工艺，这时候工艺也发生了变化，采用大马士革工艺，也就是铜镶嵌工艺。不再是刻蚀金属，而是先做绝缘层，然后在上面刻蚀个槽，再把Cu填入，然后CMP把多余的铜磨平，只剩下槽里面的铜，就是所需的连线。那么density 低的地方需要磨掉金属多，而且槽的窗口小，density 高的地方需要磨掉金属少，而且槽的窗口也大。那么在CMP时候，等磨到density 低的区域多余metal都去干净的时候，density 高的区域就有点过头了，自然就会薄一些。

那我看到的也许就是先前的铝工艺，不过还是希望能有更多高人出来释疑。

本人觉得刻蚀的时间都是一定的，看工艺厂如何调节，如果刻蚀时间去满足大密度区域就会造成低密度区过刻，如果去满足低密度区就会造成大密度区域刻蚀不干净。现在不是有平坦化吗?能解决晶圆不平整

會影響良率，如果樓主公司有錢，無所謂~

学习了

学习了

学习了。多谢