为什么Hot NWELL DRC rule 大些

不知道对不对，因为这个NWELL电位是浮动的，对周围有影响

worry about latch up issue

劳驾问下HOT NWELL电阻是不接VDD的么?

你是指P+ diffusion电阻坐在nwell中么?nwell不一定接VDD，但需要保持nwell零偏或反偏
若果正偏就是diode，电会从nwell漏走

一般情况下，把电阻放在 NWELL 里，然后再把 NWELL 接在地上。这样 NWELL 上就比较干净。

应该是从latch up 问题考虑的。

hot nwell 没接最高点位而已，它和最高电位的nwell之间会发生latch up 吗?哪位大侠从寄生器件及latch up原理的角度解释一下? 能把导致latch up的寄生电路画出来更好了

位移电流的影响，TLU风险增高，故而需要更大的距离

TLU风险中的TLU指代什么? 位移电流的形成是因为两个Nwell的电位不同从而会有电流从高电位Nwell流向低电位Nwell吗?还是其他的意思

知道了

hot well接的不是最高电位，容易受到干扰产生latch up吧。

标题

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可以简单的认为两个hot Nwell 的 N+有电位差吧，这样寄生BJT就比较容易导通，容易漏电，所以要适当拉大距离。

hot NWELL 与cold NWELL之间有压差，存在寄生NPN开启风险（latch up）,所以他们之间rule比正常的大写，且一定要用P ring隔开。此外hot NWELL如果可能出现负压更需要考虑latch up风险。