金属线的十字连接，guarding ring，和seal ring问题

版图中由几个问题，期望前辈解答一.我看到有的版图的金属线十字（或丁字）时，是斜角的如下图。

而我做的都是直角的。下图

怎么能做到那中斜角的十字，而且这样有什么好处?
还有就是这种多边形的连接线怎么做?下图，就是用 创建多边形（creat—polygon）么?不如他这个标准也很慢啊。

二.guarding ring的选择
1.NMOS,和PMOS间为了防止闩锁要加哪种保护环? N注入+contact+metal1?然后接地还是接vdd?
2.模拟部分和数字部分的隔离要加哪种保护环?看文献是两层：“N型掺杂到电源接触和P型掺杂到衬底接触”这是什么意思?
3.整个芯片的seal ring怎么做?是包括所有的层和通孔对吧，但是具体的呢
design rules里面只有seal ring的信息，去除buffer area10um，sealing ring只有15um，但是看到有说80~100um的?
因为是小白，最好是能详细点，包括用到的层，宽度，要是能截个图实际看看就更好了。问的比较乱，见谅

怎么能做到那中斜角的十字，而且这样有什么好处?
有一個 切斜角的功能 , 讓電流順一些 也讓製程好做一些
先畫 長方形 切斜角 + 長方形 merge 也能做到
1.NMOS,和PMOS间为了防止闩锁要加哪种保护环?2 種都加
N注入+contact+metal1?然后接地还是接vdd?
N型 接 VDD , P型 接 GND
2.模拟部分和数字部分的隔离要加哪种保护环? 2 種 都加
看文献是两层：“N型掺杂到电源接触和P型掺杂到衬底接触”这是什么意思?
N型 ( NPLUS + OD 那種 ) 接 VDD , P型 ( PPLUS + OD 那種 )接 GND
3.整个芯片的seal ring怎么做?是包括所有的层和通孔对吧，但是具体的呢
design rules里面只有seal ring的信息，去除buffer area10um，sealing ring只有15um，但是看到有说80~100um的?
看 design rule 上的圖 , 愛作多寬作多寬T 晶圓代工的 0.18 u 大約 30 um

谢谢啦，回答的这么详细。帮了我大忙了。还有sealing ring就一层一层叠起来就好了是么?

pad和esd电路是放在seal ring的里面还是外面?

sealring在design rule里面应该都有写的，ESD和PAD肯定放在里面啦，外面都没用了

sealring 在 最外圍 , 預防切割 時 傷了 內部
一層一層 沒錯 , design rule 會建議 怎麼堆疊
不是每一層形狀都一樣

谢谢喽，手底下有的资料写的都比较粗略

受教了。

请问一下小编切斜角是怎么在切呢?详细步骤可以说明一下吗?

S选中直角，Edit/Other/Modify Corner...然后设置角的大小

我们切角都是用Reshape命令，shift+R键，然后F3键选择为line，diagonal，你可以试试看，很快的

切角我建议用shift+C比较好用么，就是画好图形后直接切！

试了试shift+c，然后F3修改rectangle为polygon，snap选为anyAngle。在用ruler画好多边形后，沿着多边形的边沿一点一点chop，是可以的~目前还没有用到这个角度，但是先学习了~感谢