关于P+注入包围有源区的问题讨论

在N阱中包围着P+注入，P+注入包围着有源区。在版图中，P+注入、N+注入是为了区分注入的导电类型。那在工艺中，P+注入这一在版图中的显示会制作成掩膜板吗?如果做的话，它在工艺中起什么作用呢?
请各位大侠，指导指导啊！

给你推荐两本书 版图的艺术半导体制造技术你看看就知道了

你不注入哪里来离子

我也是新手，这个东西看看半导体工艺基础立马明了的

当然有了
从mask来说， SP , SN 是分开的 2层mask，
比如smic的 198和 197(好像是，不记得了）
而且nwell和 pwell（通常是not nwell）也是有mask的 ，
high voltage nwell和 high voltage pwell也是，

当然有掩模板啊。
如果没有这些注入，怎么形成不同的器件呢?读书才是王道，模拟电路版图的艺术好像还是一本不错的书。

当然有掩模板啊。
如果没有这些注入，怎么形成不同的器件呢?读书才是王道，模拟电路版图的艺术好像还是一本不错的书。

一般会做成mask

学习了！

离子注入需要掩膜板，因为要在选定的区域注入

学习了！

你可以看看designrule 里面每一层的作用都有的，

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