微波EDA网,见证研发工程师的成长!
首页 > 研发问答 > 微电子和IC设计 > IC版图设计交流 > 扩散和离子注入的不同?

扩散和离子注入的不同?

时间:10-02 整理:3721RD 点击:
"扩散形成深结,注入形成浅结"是否正确?
比如一个pmos,它的nwell是扩散形成的吗?它的源漏是离子注入形成的吗?
请高人指教一下,多谢!

扩散是利用参杂离子的自由扩散,同时存在纵向和横向的扩散,扩散的时间越长,参杂的深度和宽度都增加;但在小尺寸工艺中,要求有必要的参杂深度,同时希望很小的横向间距,这时候扩散就很难做到。
离子注入是精确控制的,注入离子的种类、注入深度都可以精确控制,同时几乎没有横向扩散,是小尺寸工的主流工艺。
在大尺寸工艺,nwell和source/drain都可以用扩散来做;小尺寸工艺,nwell/SD都用离子注入来做;而中等尺寸,出于成本考虑,用扩散来做nwell,离子注入来做SD

明白了;谢谢你的讲解!

学习了

說得好

学习了

说的很对

那从什么工艺节点开始是用离子注入呢?扩散是在小工艺的时候就不用了吗?还是某一些步骤还在用扩散?

学习了

Copyright © 2017-2020 微波EDA网 版权所有

网站地图

Top