有源区与扩散区的区别

我的理解，如果有错误请大侠指出
active和imp通常是不同的光刻版。
active通常在之前光刻，对应not(场氧区+gate区)，具体克参照DRC文件中的逻辑运算
imp是之后的离子注入，由于无法完全精确控制，通常open area要大一点。如果我理解没有错的话，最终imp要和active参加运算。
换句话说，尽管这2个在版图中并非一个层次，但实际在工艺上，他们所表现的都是一个区域。

这两个东东我也常常弄不明白；我理解的是active对应的是在非场氧的区域，对应氮化层覆盖的部分（是用作氮化物可是用的mask?），一般氧化层会薄一些，imp我和2楼看法一样。
不知道对不对，等高手指正。

active 又叫diff ，又叫thin oxide，它对应于场氧，比较薄，目的是inp 扩散后 足够薄的active的地方能有形成mos的条件，场氧的地方不会，poly 铺上去，经过active的地方因为氧化层薄，低压可以感应载流子，场氧因为厚，无法感应，所以mos的width 只算active区不算inp区。
所以把active 理解为氧化层的坑，inp理解为注入。（cont 和via 一样是氧化层的洞）

补充一下，与工艺有关系，像华虹.35就只有PP/NP,台积电的ACTIVE+PP/NP等。

4楼说得有道理！

学习学习

原來如此，大大們講得真是詳細。

学习来得

个人理解为版图层次上的两个定义，有源区就是为做集成器件所设定的区域，扩散区的话就是做具体器件结构时所需的注入区域

个人理解为版图层次上的两个定义，有源区就是为做集成器件所设定的区域，扩散区的话就是做具体器件结构时所需的注入区域

luguoluguo

又学习了！

学习来得

学习了！

xuexi

确实这么回事！

建议看看工艺书吧~看看制作流程会清楚很多哦

这些知识在于讨论呀！讨论的越多，理解的越深刻

源区、沟道区和漏区合称为MOS管的有源区(Active），而有源区之外的区域定义为场区（Fox)。有源区和场区之和就是整个芯片表面。
Fox + Active = Surface

20楼正解，个人觉得Active这层是为做LOCOS用的，做好LOCOS后再注入离子，之所以NP、PP要包Active，就是为了能更好、全部地向Active区域注入离子。
NP AND Active=Ndiff
PP AND Active=Pdiff

只有有active的区域你的NP注入才有效，其他地方被厚厚的场氧阻隔，注入不进去
虽然版图上画有，实际上是无效的
之所以要画大，就是为了防止光刻对准的误差
想想你的dummy，有点那意思

我的理解是active区是要去除原来的厚场氧而长薄栅氧的区域，imp区是做S/D区用的

四楼以及其他人回复的都有道理

有源区active，其实是起一个开窗口的作用。在工艺中器件生成时，先用active的mask，在厚氧区域开一个窗口（有源区），这个窗口有两个作用：
1. 去掉窗口内的厚氧，在窗口内生成薄的氧化层(栅氧)
2.后续，使用注入imp mask，在窗口内注入不同的离子，以便形成N管、P管（N型P型离子）、不同阈值的管子。
这样看来，这如其他人的回复有源区active和扩散区imp，其实可以理解为and的关系！

lixiaojun707

扩散区属于有源区的一部分,这样就好理解了,你上面的说的也没错的

受教了！

想问下是先做好栅氧然后才注入吗?这样的话在注入时岂不是要在栅氧中引入缺陷?

期待楼上的答案

围观大师级回答~学习学习，今天看老外的书上面提到了

大侠们说的很详细