多晶电阻上面走金属一，会对电阻值有影响吗？

普通注入电阻影响应该不大，若是电路要求精确匹配的电阻，不管什么类型，最好都不要走线，还有就是高值多晶电阻，这个工艺上都会有一层金属1做保护层，你没法走金属1了。

根据公司的流片经验，貌似这样poly上走金属，阻值会偏大变大原因不明白！

谢谢楼上！

在制作金属时的的溅射、刻蚀、退火等工艺，以及在芯片工作中金属上信号的变化（尤其是clock等信号），会对在金属下面的电阻产生影响。
至于，影响的大小，可以从简单的角度考虑：
金属里的电阻越近影响越大。在芯片剖面上，从下往上一般是有源区、多晶、金属0、金属1。，所以金属0就对多晶的影响大于多有源区的影响。
如果金属不得不从电阻上经过，也尽量选的离电阻远的金属；或者尽量让工作中比较安静的金属信号从电阻上走过。

lixiaojun707

poly是 feol，metal 是beol
制作metal时候 ploy 已经完成，而且metal 制程也不需要implant，退火 等，
只是现在的先进工艺中的device对 stress 比较敏感，但是具体有多大影响，谁都不知道
信号干扰是另一个问题，但实际上关系不大，poly和metal 之间有多大连线寄生啊
其实couple不到电阻上的，只是大家心理作用

feol,beol是什么意思?

feol= front end of line 前道制程，形成器件
beol=back end of line 后道制程，形成互联
一般以contact为分界
前道制程主要是离子注入，氧化，扩散，外延，退火，CMP，气相沉积，刻蚀等，有些需要高温处理，时间也较长
后道工序主要是金属互联，钝化层，pad open，polymide等，主要就是CMP，气象沉积，刻蚀了，温度都比较低

非常感谢你的回复，看来我需要大补工艺的知识了，呵呵！
多和你请教学习。
在你的回复中有两个不明白的地方，pad open,polymide是什么，它们起什么作用?

谢谢
lixiaojun707

pad open就是pad的位置需要打开，让AL或RDL层露出来，可以做bonding
polyimide不是每个芯片都有的，也是类似于passivation，用来保护芯片的
据说是黏糊糊的一层东西，没有摸过，也不知道

大牛，你们要多来指点大家，谢谢

对于精确匹配的电阻，最好还是不要走电阻线，本身的连线最好也少走，氢化作用会使电阻值有偏差。

如果是注入电阻的话，特别是低注入，在上面走金属线，会影响电阻里面的载流子分布，会对电阻值产生很大的影响。但是你说的是poly电阻，这个考虑基本上师可以忽略的，但是要考虑到氢化作用对其影响。详情参考《模拟版图艺术》第五章电阻

来看看。

學習了

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