阱周围的一圈多晶的作用
时间：10-02
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这是自己判断的BJT的版图，但是对B区的接触做在多晶上?
这一圈多晶作用是啥吖，还有E区一圈的多晶是啥作用。还是我判断错误?求大神们指点一二
联系原厂，问问是不是poly
是poly吖
如果是poly，那中间那一堆也是poly，怎么能得出是BJT的结论?
3端器件，不是mos就是bjt了，但是又不像是mos，更觉得是bjt，所以才更不知道poly的作用。或者您有啥见解，不妨说出来，给我个参考吧，谢大神
先把层次弄清楚，层次的确定可以根据其它常规的器件
哪儿是poly，哪儿是od，不要在哪儿不找边际的猜
你见过bipolar的base接在poly上的?
这东西也许是个LDMOS或其它器件
od是啥意思，我是刚抠版图的菜鸟，ldmos不是栅和源区有部分重叠的嘛?
我把几层给您看下，帮忙分析下?
这就是个LDMOS吧，不过和普通的LDMOS还是有点差别
中间那个区域5排contact是source，周边的poly就是gate，gate 内圈部分在栅氧区，外圈的部分在场氧上
第二张照片拔掉了所有的metal和poly，黑的区域是露出了silicon，白的区域是oxide，但是中间那个区域的oxide比外面其它的field oxide薄，所以还是现实出很明晰的边界。
再外圈的环形poly gate和drain接在一起，我猜这是为了高压下开启场区，减小导通电阻，不过与耐压相违背。
最外圈的poly不知用来干什么，也许接地。
这个问题我也遇到过，求高手赐教，可能是硅化吗?
从第二张图来看，我比较倾向于是一个二极管。因为亮暗程度不一样，应该是N-WELL与Pplus。
最外圈的是场板
呵呵，我做过哦，HBT