求大神解读，砷化镓和氮化镓工艺发展水平到了什么程度

第二代砷化镓和第三代氮化镓现在主流都是什么制程啊，晶元6寸算一线水平么。
国内相关foundry做到什么程度？
砷化镓目前主要还是军用是么，以后民用5G起来了是不是第二代砷化镓就要起飞了？
大神么求解读求解读啊~~~~跪谢跪谢跪谢

最近跟客户接触，对这块稍有了解，供参考。
国内的不清楚。基于SIC的晶圆一般是4寸的，基于SI的晶圆一般是8寸的，6寸如果是基于SIC的应该算是重大突破了。
5G起来以后，大功率PA估计都会改成GAN的，LDMOS的份额可能会大大萎缩。
关于GaAs，这个都是成熟技术了，为什么说主要还是军用。。。小信号的放大器用的很多。

感谢大神~~赞赞赞~~
另外关于制程大神有了解么

小信号这里用的不严谨。嘿嘿。

砷化镓国内最近借大基金的势头，好几条线在建，目前都还没投产，最多就是有试流片的。
之前没有商用线，但是中电那俩所的器件性能水平还是可以的，只是人家对商用的成品率，效率管理可能没那么在意。
氮化镓仍然比较敏感，低频段用于电力电子的会逐渐开放，但是高频段军用的管制可能还比较厉害。
砷化镓商用就是6寸，因为片子脆，搞大了碎片率高一点，就反而划不来了，另外6寸线便宜，可以用很多淘汰设备，我猜在目前的市场容量下应该是性价比比较高的选择。一些特种器件公司，或者研究所，也跑4寸的。
氮化镓三寸四寸的居多，碳化硅或者蓝宝石衬底都又贵又硬，难做处理，外延缺陷也不好控制。国内目前还只是研究所玩票，也许这些现在修建的砷化镓线，三五年以后，会跟着民用氮化镓的步子开始跑吧，拿衬底和外延可能没砷化镓那么方便。

氮化镓国内国外成熟的都是4寸晶圆，国外说的六寸晶圆成熟，但是都没实际推出来，以后肯定是氮化镓大批量替代ldmos