请问 双阱工艺中的P阱怎么做?
时间:12-11
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直接在P衬底做阱?
这个阱有啥用?
这样NMOS的sub能随意接吗?
这个阱有啥用?
这样NMOS的sub能随意接吗?
对于真正的双阱工艺,P阱的形成建立在Deep nwell的基础上,也就是deep nwell 包住的就是pwell,pwell包住的里做nwell,由于有了deep nwell,因此pwell可以接不同的电位