请问RF CMOS工艺中的MIM电容是否存在寄生下极板电容
时间：12-11
整理：3721RD
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nobomb (真的不是炸弹) 于 (Fri Aug 10 09:40:19 2007) 提到:
一般工艺中的PIP（两层poly做的电容），存在其下极板与衬底之间的电容。
那么MIM（两层金属构成的电容），其下极板时候也存在此类问题。这在后仿真中能否体
现出来？
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seaskyyuhan (海天一色) 于 (Fri Aug 10 10:14:32 2007) 提到:
肯定存在，下底板与substrate之间的电容。后仿真可以体现，但不准确。设计中应该予以考虑。
nobomb (真的不是炸弹) 于 (Fri Aug 10 09:40:19 2007) 提到:
一般工艺中的PIP（两层poly做的电容），存在其下极板与衬底之间的电容。
那么MIM（两层金属构成的电容），其下极板时候也存在此类问题。这在后仿真中能否体
现出来？
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seaskyyuhan (海天一色) 于 (Fri Aug 10 10:14:32 2007) 提到:
肯定存在，下底板与substrate之间的电容。后仿真可以体现，但不准确。设计中应该予以考虑。
这个寄生是在model里已经考虑，还是在后仿时提，各个foundry有不同的做法，
但重复提了两遍肯定是不对的。可能是bug。