运放的补偿电容一般用什么样的？

如果是有信号输入的，建议用MIM
THD会好很多
若是DC reference，可以用mos电容以节约面积
ncap pcap就要看补偿电容两端的电位以及电压差了

哦，谢谢
我是用来提供参考电压的，试了一下mim的发现面积好大，看来还是用ncap吧

pcap的衬底可以接在source上
ncap就不能，除非deep n-well
所以一般用pcap
但是如果电容两端的压差正好在pcap的耗尽区以及弱反型区
那pcap的电容就太小了

你的意思是
一般n-阱工艺ncap一端一定要接地，pcap则无此限制
同时注意电容两端压降要稍大于Vthn(p)，否则电容就不对了？

ncap和pcap都是非线性的电容，精度也不易控制，
你要注意这一点。

不是稍大于
而是最好能大一半以上
比如vth=0.7v
在两端电压在0~1v附近的电容值都很小
你可以自己仿真这个C-V曲线出来看看
具体可以参看Razavi Chapter2 Fig2.41