问一个面试题~~~双极型和CMOS器件工艺上的区别~~~

书上说 CMOS工艺与标准双极工艺的一个重要区别在于衬底材料的选择。另一个在于cmos适用多晶硅而不是铝来作为栅材料。
只是这两个么？在工艺流程上有什么区别呢？如果要简要的回答得话

bjt不存在grid的了
而且我觉得bjt工艺和mos工艺的另外一个差异在于
如果用于模拟的话，mos的关键尺寸是gate的l，由光刻限制
而bjt的关键尺寸是WB，受到基区扩散的限制，容易更加的精确，而且能做小

双极不要cmp，cmos要cmp

多谢：）cmp是指化学机械抛光？
是为了填平复杂的电路走线提高各金属布线层的平面光刻精度，对不？