问个基本问题：为何双极工艺总是说fT,而CMOS工艺却没有

很多用了双极工艺的文章中，都把此工艺的特征频率fT写了出来，为何CMOS不写呢？查了Razavi的书，里面我没有找到有关CMOS管子特征频率的描述。相信CMOS也该有个与双极工艺的特征频率相仿的参数。请问是什么？
或者可以这么问：为何说双极工艺比CMOS工艺的速度快？
有人考虑过这个问题么？请赐教。

cmos也有ft的，主要由Cgs，Cgd和gm决定，见sedra的microeletronic circuits
公式跟bjt的形式一样的
bjt工艺为啥一般比快主要是因为cmos的gm一般没bjt的gm高吧

赞同你的观点，以前我也依稀有个概念是gm的原因。
很感谢你提供的cmos的ft公式。

主要是受迁移率的影响。以NPN管和NMOS为例，BJT中的迁移率是体迁移率，大约为1350cm2/vs。NMOS中是半导体表面迁移率，大约在400-600cm2/vs。所以BJT的跨导要高于MOS的，速度快于MOS。

迁移率的影响只是表象吧，假设mos的迁移率有bjt那么高，它的gm还是比bjt低的多
因为bjt的gm是指数函数的导数决定的，而mos只是二次多项式而已，再结合一些表达
式中常数的常见值决定了mos的gm很低
具体可以看sedra fourth edition的p395